[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板(11)；

在所述衬底基板(11)上形成第一金属薄膜，对所述第一金属薄膜进行蚀刻制作第一金属层(12)，所述第一金属层(12)包括栅极(121)和扫描线(122)，所述栅极(121)与所述扫描线(122)连接；

在所述衬底基板(11)上形成覆盖所述第一金属层(12)的栅极绝缘层(13)；

在所述栅极绝缘层(13)上形成第二金属薄膜，对所述第二金属薄膜进行蚀刻制作第二金属层(14)，所述第二金属层(14)包括源极(141)和数据线(142)，所述源极(141)与所述数据线(142)相连，所述源极(141)与所述栅极(121)在所述阵列基板的投影上对齐或部分重叠；

在所述栅极绝缘层(13)上形成覆盖所述第二金属层(14)的金属氧化物半导体薄膜，对所述金属氧化物半导体薄膜进行蚀刻制作金属氧化物半导体层(15)，所述金属氧化物半导体层(15)与所述源极(141)相连，所述金属氧化物半导体层(15)用于形成像素电极(151)和有源层(152)；所述像素电极(151)与所述有源层(152)连接，所述有源层(152)与所述源极(141)连接，且所述有源层(152)对应位于所述源极(141)和所述栅极(121)上方。

2.如权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述金属氧化物半导体层(15)用于形成像素电极(151)和有源层(152)，具体还包括：在所述金属氧化物半导体层(15)和所述栅极绝缘层(13)上涂布光阻(2)，以所述第一金属层(12)和所述第二金属层(14)为遮罩对所述光阻(2)进行曝光、显影，保留所述第一金属层(12)和所述第二金属层(14)上方区域的光阻(2)，去除其它区域的光阻(2)，使对应于所述第一金属层(12)和所述第二金属层(14)区域以外的金属氧化物半导体层(15)暴露出来；

利用留下的光阻(2)对所述暴露出来的金属氧化物半导体层(15)进行导体化处理，使所述暴露出来的金属氧化物半导体层(15)形成所述像素电极(151)，未暴露出来的所述金属氧化物半导体层(15)形成所述有源层(152)；

去除所述留下的光阻(2)。

3.如权利要求2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述栅极绝缘层(13)上形成覆盖所述金属氧化物半导体层(15)的钝化层(16)；

在所述钝化层(16)上形成氧化物导电薄膜，对所述氧化物导电薄膜进行蚀刻制作氧化物导电层(17)，所述氧化物导电层(17)包括公共电极(171)。

4.如权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在对所述第一金属薄膜进行蚀刻制作所述第一金属层(12)时，所述第一金属层(12)还包括公共电极线(123)；

在所述栅极绝缘层(13)上形成所述钝化层(16)之后，先在所述公共电极线(123)的上方区域通过蚀刻形成通孔(161)，然后在所述钝化层(16)上形成所述氧化物导电薄膜，再对所述氧化物导电薄膜进行蚀刻制作所述氧化物导电层(17)，所述公共电极(171)填入所述通孔(161)内并与所述公共电极线(123)连接。