[发明专利]芯片封装结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202110918343.6 | 申请日： | 2021-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN113823605A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘伟娜;李太龙;邵滋人;鄢宇扬 | 申请（专利权）人： | 紫光宏茂微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/556;H01L21/56 |
| 代理公司： | 上海得民颂知识产权代理有限公司 31379 | 代理人： | 陈开山 |
| 地址： | 201799 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：基板、封装体、电磁屏蔽体和多块芯片；
多块所述芯片呈矩阵布设在所述基板上；
所述封装体设置在所述基板上，所述封装体包覆所述芯片，且所述封装体在相邻的所述芯片之间设有电磁屏蔽通道；
所述电磁屏蔽体盖合在所述封装体上，且嵌入在所述电磁屏蔽通道内，实现对所述芯片的电磁屏蔽。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述电磁屏蔽体为金属屏蔽材料。
3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述封装体的材质为环氧树脂。
4.一种芯片封装结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1提供基板；
S2芯片贴装在所述基板上；
S3封装所述基板，形成封装体，并形成电磁屏蔽通道；
S4制作电磁屏蔽体，所述电磁屏蔽体盖合在所述封装体上，并填充在所述电磁屏蔽通道内。
5.根据权利要求4所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，步骤S3中，具体包括以下步骤：
S31封装所述基板，形成封装体；
S32通过激光烧蚀的方式在所述封装体上开槽，形成所述电磁屏蔽通道。
6.根据权利要求4所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，步骤S3中，所述基板塑封时，通过塑封模具形成所述封装体和所述电磁屏蔽通道。
7.根据权利要求4所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，步骤S4中，所述电磁屏蔽通道和所述封装体电镀金属屏蔽材料，形成所述电磁屏蔽体。
8.根据权利要求4所述的芯片封装结构的制作方法，其特征在于，步骤S4中，所述电磁屏蔽通道和所述封装体塑封金属屏蔽材料，形成所述电磁屏蔽体。
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