[发明专利]集成式LED发光器件及其制备方法

说明书

本发明涉及固态半导体照明技术领域，提供一种集成式LED发光器件，包括合成基板、若干芯片、封装层、正极链接端子和负极链接端子。合成基板包括依序堆叠的第一基板、第二基板、第三基板以及第四基板，第三基板具有第一开口，第四基板具有第二开口。若干个芯片间隔设置在第三基板上，且位于第二开口内。封装层包覆若干个芯片。正极链接端子电性连接于若干个芯片的正极；负极链接端子电性连接于若干个芯片的负极。借此，可实现一体式全自动化作业，可以简化制程，节约成本。

技术领域

本发明涉及固态半导体照明技术领域，特别涉及一种集成式LED发光器件及其制备方法。

背景技术

LED光源具有节能、耐用、无污染等优点，目前已经广泛用于照明、显示和背光源等领域，作为具有明确优势的下一代照明方式引起了广泛重视。基于LED的长寿命、高效率、光线利用率高等特点，LED照明已经在日常照明中得到广泛应用。但是使用过程中也遇到很多技术上的问题，于是很多人也对LED在封装方式上做了很多研究改进，

目前，LED照明光源是以几个工序作业的工艺和方法相互搭配进行封装，待完成封装后，还需要送到下游的照明、背光等厂商进行贴片作业，贴片完成后再进行装配。整个制程过于繁琐，且耗费大量的人力、物力，成本较高。此外，现有的作业方式还存在可靠性、安全性等方面的问题。

那么，如何在各种不同的情况下，将资源合理整合使用，设计出完善的集成式LED发光器件的制备流程是本领域技术人员亟待解决的技术难题。

因此，本发明的主要目的在于提供一种集成式LED发光器件及其制备方法，以解决上述问题。

发明内容

为解决上述现有技术中制备流程繁琐、成本等问题，本发明提供一种集成式LED发光器件及其制备方法，实现一体式全自动化作业，可以简化制程，节约成本。

本发明提供的一种集成式LED发光器件，包括合成基板、若干芯片、封装层、正极链接端子和负极链接端子。

合成基板包括依序堆叠的第一基板、第二基板、第三基板以及第四基板，第三基板具有第一开口，第四基板具有第二开口。若干个芯片间隔设置在第三基板上，且位于第二开口内。封装层包覆若干个芯片。正极链接端子，电性连接于若干个芯片的正极。负极链接端子，电性连接于若干个芯片的负极。

在一实施例中，所述第一基板是玻璃基板，所述第二基板是反光基板，所述第三基板是金属基板，并包括正极金属基板与负极金属基板，所述正极金属基板与所述负极金属基板之间形成所述第一开口，所述芯片的正极电性连接所述正极金属基板，所述芯片的负极电性连接所述负极金属基板，所述第四基板是保护基板。

在一实施例中，所述第一基板的尺寸范围是1cm*1cm-40cm*40cm，所述第二基板的厚度范围是10μm-200μm，所述第三基板的厚度范围是10μm-100μm，所述第四基板的厚度范围是10μm-100μm。

在一实施例中，所述若干个芯片间的间距范围是30μm-5cm，各所述芯片的正极与负极的间距范围是10μm-1mm。

在一实施例中，所述封装层的成型角度范围是15°-170°，所述封装层的厚度高于所述芯片40μm-10mm。

在一实施例中，所述第一开口的宽度大于30μm。

在一实施例中，所述集成式LED发光器件还包括结合层，设置于所述芯片与所述第三基板之间。

在一实施例中，所述结合层的厚度范围是1μm-10μm。