[发明专利]集成式LED发光器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110898577.9 | 申请日： | 2021-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN113690228B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李玉元;杨皓宇;洪国展;陈锦庆;万喜红;李昇哲;雷玉厚 | 申请（专利权）人： | 福建天电光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人： | 杨泽奇 |
| 地址： | 362411 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 led 发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种集成式LED发光器件，其特征在于，所述集成式LED发光器件包括：
合成基板，包括依序堆叠的第一基板、第二基板、第三基板以及第四基板，所述第三基板具有第一开口，所述第四基板具有第二开口；
若干个芯片，间隔设置在所述第三基板上，且位于所述第二开口内；
封装层，包覆所述若干个芯片；
正极链接端子，电性连接于所述若干个芯片的正极；以及
负极链接端子，电性连接于所述若干个芯片的负极；
其中，所述第三基板包括正极金属基板与负极金属基板，所述正极金属基板与所述负极金属基板之间形成所述第一开口，所述芯片的正极电性连接所述正极金属基板，所述芯片的负极电性连接所述负极金属基板。
2.根据权利要求1所述的集成式LED发光器件，其特征在于：所述第一基板是玻璃基板，所述第二基板是反光基板，所述第三基板是金属基板，所述第四基板是保护基板。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的集成式LED发光器件，其特征在于：所述第一基板的尺寸范围是1cm×1cm-40cm×40cm，所述第二基板的厚度范围是10μm-200μm，所述第三基板的厚度范围是10μm-100μm，所述第四基板的厚度范围是10μm-100μm。
4.根据权利要求1所述的集成式LED发光器件，其特征在于：所述若干个芯片间的间距范围是30μm-5cm，各所述芯片的正极与负极的间距范围是10μm-1mm。
5.根据权利要求1所述的集成式LED发光器件，其特征在于：所述封装层的成型角度范围是15°-170°，所述封装层的厚度高于所述芯片40μm-10mm。
6.根据权利要求1所述的集成式LED发光器件，其特征在于：所述第一开口的宽度大于30μm。
7.根据权利要求1所述的集成式LED发光器件，其特征在于：所述集成式LED发光器件还包括结合层，设置于所述芯片与所述第三基板之间。
8.根据权利要求7所述的集成式LED发光器件，其特征在于：所述结合层的厚度范围是1μm-10μm。
9.一种集成式LED发光器件的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括下列步骤：
提供一合成基板，所述合成基板包括依序堆叠的第一基板、第二基板、第三基板以及第四基板，所述第三基板具有第一开口，所述第四基板具有第二开口；
将结合层固定在所述第三基板上，所述结合层并位于所述第二开口内；
将若干个芯片固定在结合层上；
将正极链接端子与所述若干个芯片的正极电性连接；
将负极链接端子与所述若干个芯片的负极电性连接；以及
对若干个芯片进行点胶封装处理；
其中，所述第三基板包括正极金属基板与负极金属基板，所述正极金属基板与所述负极金属基板之间形成所述第一开口，所述芯片的正极电性连接所述正极金属基板，所述芯片的负极电性连接所述负极金属基板。
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