[发明专利]一种芯片封装方法及封装结构

说明书

本申请公开了一种芯片封装方法及封装结构，芯片封装方法包括以下步骤：提供晶圆，在所述晶圆正面开设切割槽，以形成若干个封装单元，在所述封装单元开设若干个盲孔；在所述盲孔内形成金属连接线；在所述晶圆正面上设置若干个第一凸点，所述第一凸点连接至所述金属连接线一端；提供一电路基板，将所述晶圆正面倒置，所述晶圆正面与所述电路基板通过所述第一凸点连接；对所述晶圆背面研磨，研磨深度为所述晶圆厚度与所述盲孔深度之差；在所述晶圆背面设置若干个第二凸点，所述第二凸点与连接至所述金属连接线另一端。本发明通过将晶圆的研磨层精确研磨完，避免芯片层的隐裂，从而形成结构完整的芯片层，有利于芯片层与电路基板的封装。

技术领域

本发明一般涉及半导体技术领域，具体涉及一种芯片封装方法及封装结构。

背景技术

晶圆包括芯片层和研磨层，晶圆减薄工艺是对晶圆的研磨层材料进行磨削，去掉一定厚度的材料。

在相关技术中，晶圆减薄工艺包括正面形成减薄线和背面研磨等步骤，在上述背面研磨时，由于芯片层较薄，存在芯片层隐裂的问题。

故在芯片封装过程中，因芯片层隐裂致使芯片封装存在大量残次品。

发明内容

鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种芯片封装方法及封装结构。

本申请提供一种芯片封装方法，包括以下步骤：

提供晶圆，在所述晶圆正面开设切割槽，以形成若干个封装单元，在所述封装单元开设若干个盲孔；

在所述盲孔内形成金属连接线；

在所述晶圆正面上设置若干个第一凸点，所述第一凸点连接至所述金属连接线一端；

提供一电路基板，将所述晶圆正面倒置，所述晶圆正面与所述电路基板通过所述第一凸点连接；

对所述晶圆背面研磨，研磨深度为所述晶圆厚度与所述盲孔深度之差；

在所述晶圆背面设置若干个第二凸点，所述第二凸点与连接至所述金属连接线另一端。

作为可选的方案，所述提供晶圆，在所述晶圆正面开设切割槽，以形成若干个封装单元，在所述封装单元开设若干个盲孔的步骤，包括：

在所述晶圆正面上涂设刻蚀层；

在所述刻蚀层上划设刻蚀线；

沿所述刻蚀线形成预设切割槽，所述预设切割槽将所述刻蚀层划分为若干个预设单元，在所述预设单元上开设预设孔；

利用激光工艺沿所述预设切割槽切割，所述预设单元形成所述封装单元；

利用TVS工艺沿所述预设孔开设盲孔。

作为可选的方案，所述切割槽包括相互垂直的横向切割槽和纵向切割槽，所述横向切割线和所述纵向切割线呈井字型布置。

作为可选的方案，所述对所述晶圆背面研磨，研磨深度为所述晶圆厚度与所述盲孔深度之差的步骤，包括：

对所述晶圆的研磨层进行粗研磨；

对所述晶圆的研磨层进行细研磨；

对所述研磨层抛光处理，直至所述研磨层完全去除。

作为可选的方案，所述电路基板与所述晶圆正面之间设置塑封保护层，所述塑封保护层材料填充于所述电路基板与所述晶圆背面之间的间隙。

作为可选的方案，所述切割槽深度与所述盲孔深度相等。

作为可选的方案，通过沉积工艺形成所述金属连接线。

本申请提供一种芯片封装结构，包括：