[发明专利]微影系统及形成半导体装置的方法

说明书

一种微影系统及形成半导体装置的方法，方法包括在晶圆台上的晶圆载物台上方传送晶圆。晶圆台包括台主体、晶圆载物台、第一滑动部件、第二滑动部件、第一缆线、第一托架及第二托架，以及挡止器。第二滑动部件为沿着第一方向可移动的，其中第一滑动部件耦接至第二滑动部件的轨道，第一滑动部件为沿着垂直于第一方向的第二方向可移动的。第一托架及第二托架通过板弹簧连接。方法包括朝向台主体的边缘移动晶圆载物台，使得晶圆载物台向外推动第一缆线，使得板弹簧朝向挡止器的面向板弹簧的表面上的第一保护膜移动。

技术领域

本揭露有关于微影系统以及形成半导体装置的方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit；IC)行业已经历了指数增长。IC材料及设计的技术进步已产生了数代IC，其中每一代IC相较于先前一代IC具有更小且更复杂的电路。在IC演进过程中，功能密度(亦即，每晶片面积的互连装置的数目)通常已增大，同时几何尺寸(亦即，可使用制造制程产生的最小元件(或接线))已减低。此按比例缩小制程通常通过增大生产效率且减低关联成本来提供益处。此按比例缩小亦已增大了IC处理及制造的复杂度。对于待实现的这些进步，需要IC处理及制造的类似进展。举例而言，执行较高解析度微影制程的需要增长。一项微影技术为极紫外线微影(extreme ultravioletlithography，EUVL)。其他技术包括X射线微影、离子束投影微影、电子束投影微影，及多个电子束无遮罩微影。

EUVL利用数个扫描仪，该些扫描仪使用具有约1至100nm的波长的在极紫外线(extreme ultraviolet，EUV)区内的光。一些EUV扫描仪类似于一些光学扫描仪提供4倍的减小投影印刷，除了EUV扫描仪使用反射光学件而非折射光学件，亦即使用镜面而非透镜外。EUV扫描仪通过转印由吸收层界定的罩幕图案来将所要图案提供于晶圆上。当前，伴随有轴上照明(on-axis illumination，ONI)的二进制强度罩幕(binary intensity mask，BIM)用于EUVL中。为了达成针对将来节点，例如具有32nm及22nm等的最小间距的节点的恰当虚像对比度经衰减相移罩幕(phase-shifting mask，AttPSM)及交替相移罩幕(alternating phase-shifting mask；AltPSM)已经开发以获得EUVL的解析度增强。但每一技术具有其需要克服的限制。举例而言，然而，吸收层可能不能充分吸收入射光，且入射光的一部分自吸收层经反射。此外，吸收层的厚度引起阴影效应。这些问题的全部常常导致减小的虚像对比度，此情形可导致差的图案轮廓及差的解析度，特别是随着图案特征大小持续减小。需要具有此领域上的改良。

发明内容

根据本揭露的一些实施例，一种方法包括在一晶圆台上的一晶圆载物台上方传送一晶圆。该晶圆台包括一台主体、一晶圆载物台、一第一滑动部件、一第二滑动部件、一第一缆线、一第一托架及一第二托架，以及一挡止器。该晶圆载物台可移动地安置于该台主体上方。该第一滑动部件耦接至该晶圆载物台。该第二滑动部件耦接至该台主体的一边缘，该第二滑动部件为沿着一第一方向可移动的，其中该第一滑动部件耦接至该第二滑动部件的一轨道，该第一滑动部件为沿着垂直于该第一方向的一第二方向可移动的。该第一缆线耦接至该晶圆载物台且沿着该第二方向延伸。第一托架及第二托架固定该第一缆线，该第一托架及该第二托架通过一板弹簧连接。该挡止器安置于该第一缆线下方。该方法包括朝向该台主体的该边缘移动该晶圆载物台，使得该晶圆载物台向外推动该第一缆线，使得该板弹簧朝向该挡止器的面向该板弹簧的一表面上的一第一保护膜移动。

根据本揭露的一些实施例，一种方法包括以下步骤：将一晶圆传送至一装载锁定件的一第一腔室中，该第一腔室耦接至一闸阀总成，该闸阀总成具有一闸阀密封件及抵靠该闸阀密封件的一表面上的一保护膜按压的一闸；向下移动该闸远离该闸阀密封件的该表面上的该保护膜以显露该闸阀密封件的一开口；经由该闸阀密封件的该开口将该晶圆自该第一腔室传送至一第二腔室；及在该第二腔室中对该晶圆执行一半导体制程。