[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的实施方式提供一种能够适当地将包含金属元素的2个膜接近地配置的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备：积层膜，交替地包含多个电极层与多个绝缘层；电荷存储层，介隔第1绝缘膜设置在所述积层膜内；半导体层，介隔第2绝缘膜设置在所述电荷存储层内；以及第1部分，在所述电极层与所述绝缘层之间及所述电极层与所述第1绝缘膜之间，介隔第3绝缘膜设置在所述绝缘膜及所述第1绝缘膜的表面。所述第3绝缘膜包含第1金属元素及第1元素，所述第1部分包含第2元素及第3元素。所述电极层具备：第1电极层，包含第2金属元素，设置在所述第1部分侧；以及第2电极层，包含第3金属元素，设置在所述第1部分的相反侧；所述第2元素与所述第3元素的电负性之差大于所述第1金属元素与所述第1元素的电负性之差。

[相关申请的交叉参考]

本申请案享有以日本专利申请案2020-206928号(申请日：2020年12月14日)为基础申请的优先权。本申请案通过参照该基础申请而包含基础申请的所有内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体装置。

背景技术

在半导体装置中，例如有时会像阻挡(block)绝缘膜内的氧化铝膜与电极层内的氮化钛膜(势垒(barrier)金属层)那样，将包含金属元素的2个膜接近地配置。在这种情况下，一膜有可能对另一膜造成不良影响。

发明内容

本发明的实施方式提供一种半导体装置，其能够在将包含金属元素的2个膜接近地配置的情况下，适当地配置这些膜。

根据一实施方式，半导体装置具备：积层膜，交替地包含多个电极层与多个绝缘层；电荷存储层，介隔第1绝缘膜设置在所述积层膜内；半导体层，介隔第2绝缘膜设置在所述电荷存储层内；以及第1部分，在所述电极层与所述绝缘层之间及所述电极层与所述第1绝缘膜之间，介隔第3绝缘膜设置在所述绝缘膜及所述第1绝缘膜的表面。所述第3绝缘膜包含第1金属元素及第1元素，所述第1部分包含第2元素及第3元素。所述电极层具备：第1电极层，包含第2金属元素，设置在所述第1部分侧；以及第2电极层，包含第3金属元素，设置在所述第1部分的相反侧；所述第2元素与所述第3元素的电负性之差大于所述第1金属元素与所述第1元素的电负性之差。

附图说明

图1是表示第1实施方式的半导体装置的结构的立体图。

图2～5是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图(1/4)。

图6(a)、(b)是用来对第1实施方式的吸附促进层进行说明的示意图。

图7(a)、(b)是用来对第2实施方式的吸附促进层进行说明的示意图。

图8(a)～(c)是用来对第2实施方式的吸附促进层进行说明的另一示意图。

图9(a)、(b)是用来对第2实施方式的吸附促进层进行说明的另一示意图。

图10(a)、(b)是用来对第3实施方式的吸附促进层进行说明的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。在图1～图10中，对相同的构成标注相同的符号，省略重复的说明。

(第1实施方式)

图1是表示第1实施方式的半导体装置的结构的立体图。图1的半导体装置例如是三维型NAND(Not AND，与非)存储器。