[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

积层膜，交替地包含多个电极层与多个绝缘层；

电荷存储层，介隔第1绝缘膜设置在所述积层膜内；

半导体层，介隔第2绝缘膜设置在所述电荷存储层内；以及

第1部分，在所述电极层与所述绝缘层之间及所述电极层与所述第1绝缘膜之间，介隔第3绝缘膜设置在所述绝缘膜及所述第1绝缘膜的表面；

所述第3绝缘膜包含第1金属元素及第1元素；

所述第1部分包含第2元素及第3元素；

所述电极层具备：第1电极层，包含第2金属元素，设置在所述第1部分侧；以及第2电极层，包含第3金属元素，设置在所述第1部分的相反侧；

所述第2元素与所述第3元素的电负性之差大于所述第1金属元素与所述第1元素的电负性之差。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第1电极层与所述第1部分相接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第1金属元素为Al(铝)，所述第2金属元素为Ti(钛)。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第2元素为Ti(钛)、Zr(锆)、Hf(铪)、Y(钇)、Sc(钪)、La(镧)或Ta(钽)，所述第3元素为O(氧)。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第2元素为Zr(锆)、Hf(铪)、Y(钇)或La(镧)，所述第3元素为Cl(氯)。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第2元素为Si(硅)、Ti(钛)、Zr(锆)、Hf(铪)、Y(钇)、Sc(钪)、La(镧)、Ta(钽)或V(钒)，所述第3元素为F(氟)。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第1部分的厚度为0.1nm以上且0.5nm以下。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第1电极层的电阻率高于所述第2电极层的电阻率，

所述第1电极层的厚度为2.0nm以下。

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第3绝缘膜的介电常数高于所述第1绝缘膜的介电常数。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第3元素为B(硼)、C(碳)、N(氮)、Ga(镓)、Ge(锗)或As(砷)。

11.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第1部分进一步包含作为稀有气体元素的第4元素。

12.一种半导体装置，具备：

积层膜，交替地包含多个电极层与多个绝缘层；

电荷存储层，介隔第1绝缘膜设置在所述积层膜内；

半导体层，介隔第2绝缘膜设置在所述电荷存储层内；以及

第1部分，在所述电极层与所述绝缘层之间及所述电极层与所述第1绝缘膜之间，介隔第3绝缘膜设置在所述绝缘膜及所述第1绝缘膜的表面；

所述第3绝缘膜包含第1金属元素及第1元素；

所述第1部分包含第2元素及第3元素；

所述电极层具备：第1电极层，包含第2金属元素，设置在所述第1部分侧；以及第2电极层，包含第3金属元素，设置在所述第1部分的相反侧；

所述第3元素为B(硼)、C(碳)、N(氮)、Ga(镓)、Ge(锗)或As(砷)。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中所述第2元素为H(氢)。

14.根据权利要求12或13所述的半导体装置，其中所述第1部分内的所述第3元素的剂量为1.0×10¹³atoms/cm²以上且1.0×10¹⁶atoms/cm²以下。