[发明专利]半导体结构处理治具及半导体结构处理治具制作方法

权利要求书

1.一种半导体结构处理治具，其特征在于，包括：块体，所述块体包括盖板以及与所述盖板垂直设置的侧板，所述侧板与所述盖板围设成容置腔，所述容置腔用于容置半导体结构，且所述盖板和所述侧板与所述半导体结构贴合。

2.根据权利要求1所述的半导体结构处理治具，其特征在于，所述侧板远离所述盖板的预设端面与所述盖板之间平行。

3.根据权利要求2所述的半导体结构处理治具，其特征在于，所述预设端面与所述盖板靠近所述半导体结构的表面之间具有第一距离，所述第一距离小于所述半导体结构沿垂直于所述预设端面方向的厚度。

4.根据权利要求3所述的半导体结构处理治具，其特征在于，所述预设端面与所述半导体结构内的预设膜层位于同一平面内。

5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构处理治具，其特征在于，所述盖板靠近所述半导体结构的表面上设置有配合槽，所述配合槽用于容置所述半导体结构上的焊球。

6.根据权利要求5所述的半导体结构处理治具，其特征在于，所述配合槽的槽壁和槽底用于与所述焊球贴合。

7.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构处理治具，其特征在于，所述盖板和所述侧板为一体结构。

8.根据权利要求7所述的半导体结构处理治具，其特征在于，所述盖板和所述侧板均为树脂板。

9.一种半导体结构处理治具制作方法，其特征在于，包括：

提供第一半导体结构，所述第一半导体结构具有第一预设表面和与所述第一预设表面相邻的第二预设表面，所述第一预设表面与所述第一半导体结构的延伸方向平行，所述第二预设表面与所述第一半导体结构的延伸方向垂直；

在所述第一预设表面和所述第二预设表面上覆盖成型材料，以形成块体；所述块体包括与所述第一预设表面贴合的盖板、以及与所述第二预设表面贴合的侧板；

分离所述块体和所述第一半导体结构，所述侧板和所述盖板围设成容置槽。

10.根据权利要求9所述的半导体结构处理治具制作方法，其特征在于，分离所述块体和所述第一半导体结构之后，还包括：

提供第二半导体结构；

将所述第二半导体结构放置在所述容置槽内；

研磨所述侧板和所述第二半导体结构，以使所述侧板背离所述盖板的一端形成与所述盖板平行的预设端面；

分离所述块体和所述第二半导体结构。

11.根据权利要求10所述的半导体结构处理治具制作方法，其特征在于，研磨所述侧板和所述第二半导体结构，以使所述侧板背离所述盖板的一端形成与所述盖板平行的所述预设端面包括：

研磨所述侧板和所述半导体结构直至暴露出所述第二半导体结构的预设膜层。

12.根据权利要求9所述的半导体结构处理治具制作方法，其特征在于，在所述第一预设表面和所述第二预设表面上覆盖成型材料之前还包括：

在所述第一预设表面和所述第二预设表面上形成剥离层；所述剥离层用于在分离所述块体和所述第一半导体结构时，促进所述块体与所述第一半导体结构脱离。

13.根据权利要求12所述的半导体结构处理治具制作方法，其特征在于，所述剥离层包括离型剂层。

14.根据权利要求9所述的半导体结构处理治具制作方法，其特征在于，所述成型材料包括树脂。

15.根据权利要求9所述的半导体结构处理治具制作方法，其特征在于，分离所述块体和所述第一半导体结构，所述侧板和所述盖板围设成所述容置槽包括：

对所述成型材料进行固化处理，待所述成型材料未完全固化时，分离所述块体和所述第一半导体结构。