[发明专利]晶圆竖直旋转处理设备及其应用的通风系统

说明书

本发明公开了一种晶圆竖直旋转处理设备及其应用的通风系统，晶圆竖直旋转处理设备包括：用于竖直旋转晶圆的夹持机构、用于输送流体的供给臂、用于在晶圆处理腔室内形成动态气流的通风系统；通风系统包括进气组件和排气组件，外部的气体从设于进风罩下方的进气管路引入并通过进风面板的进风口通入晶圆处理腔室，腔室内的气体从排风背板的排风口进入环形排风罩进行汇集，并通过环形排风罩的底部引出结构向下方的排气管路引出；进风面板上不同面积的进风口按照特定方式分布，进风口为台阶孔形状，其包括位于进气侧的第一通孔和位于出气侧的第二通孔，第一通孔的截面积不同于第二通孔的截面积从而对流经进风口的气体流量进行调节。

技术领域

本发明涉及化学机械抛光后处理技术领域，尤其涉及一种晶圆竖直旋转处理设备及其应用的通风系统。

背景技术

化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization，CMP)是一种全局平整化的超精密表面加工工艺。由于化学机械抛光中大量使用的化学试剂和研磨剂会在抛光完成后在晶圆表面残留大量的研磨颗粒和研磨副产物等污染物，这些污染物会对后续工艺产生不良影响，并可能导致晶圆良率损失。所以在化学机械抛光之后需要引入后处理工艺，后处理工艺一般由清洗和干燥组成，以提供光滑洁净的晶圆表面。

在晶圆后处理过程中，需要对工艺腔室内不断进行通风换气，工艺腔室内气体流动产生的流场会对晶圆干燥产生影响，特别是当工艺腔室内的气体流场分布不均匀时会对晶圆后处理产生不利影响。因此，如何设置效果更好的通风系统是目前亟待解决的问题。

发明内容

本发明实施例提供了一种晶圆竖直旋转处理设备及其应用的通风系统，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

本发明实施例的第一方面提供了一种应用于晶圆竖直旋转处理设备的通风系统，所述通风系统用于在晶圆处理腔室内形成动态气流，所述通风系统包括位于所述晶圆处理腔室一面的进气组件和位于所述晶圆处理腔室的相对的另一面的排气组件，所述进气组件包括进风面板和进风罩，进风面板上设有多个贯通的进风口，所述排气组件包括排风背板和环形排风罩，外部的气体从设于进风罩下方的进气管路引入并通过进风面板的进风口通入晶圆处理腔室，晶圆处理腔室内的气体从排风背板的排风口进入环形排风罩进行汇集，并通过环形排风罩的底部引出结构向下方的排气管路引出；

所述进风面板上不同面积的进风口按照特定方式分布，所述进风口为台阶孔形状，其包括位于进气侧的第一通孔和位于出气侧的第二通孔，第一通孔的截面积不同于第二通孔的截面积从而对流经进风口的气体流量进行调节。

在一个实施例中，位于进风面板上不同位置处的进风口的第一通孔的截面积不完全相同以使各进风口的气体流量均匀，各进风口的第二通孔的截面积均相同以使各进风口向晶圆处理腔室内喷射的气流速度基本一致。

在一个实施例中，位于进风面板中心区的进风口的第一通孔的截面积大于位于边缘区的进风口的第一通孔的截面积。

在一个实施例中，位于进风面板环形区预设位置的进风口的第一通孔的截面积为所有第一通孔中的最大值，其中，环形区位于中心区和边缘区之间。

在一个实施例中，第一通孔的截面积小于第二通孔的截面积。

在一个实施例中，第一通孔和第二通孔均为柱形结构，第一通孔与第二通孔同轴心。

在一个实施例中，第二通孔的长度与第一通孔的长度的比值在1至20之间。

在一个实施例中，第一通孔的内径为0.1～30mm，第二通孔的内径为0.1～30mm。

在一个实施例中，第一通孔的长度为0.1～20mm，第二通孔的长度为0.1～100mm。