[发明专利]晶圆竖直旋转处理设备及其应用的通风系统有效
申请号: | 202110761694.0 | 申请日: | 2021-07-06 |
公开(公告)号: | CN113471123B | 公开(公告)日: | 2023-08-25 |
发明(设计)人: | 曹自立;李灯;申兵兵;李长坤;赵德文 | 申请(专利权)人: | 华海清科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/67 |
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地址: | 300350 天津市津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 竖直 旋转 处理 设备 及其 应用 通风 系统 | ||
1.一种应用于晶圆竖直旋转处理设备的通风系统,其特征在于,所述通风系统用于在晶圆处理腔室内形成动态气流,所述通风系统包括位于所述晶圆处理腔室一面的进气组件和位于所述晶圆处理腔室的相对的另一面的排气组件,所述进气组件包括进风面板和进风罩,进风面板上设有多个贯通的进风口,所述排气组件包括排风背板和环形排风罩,外部的气体从设于进风罩下方的进气管路引入并通过进风面板的进风口通入晶圆处理腔室,晶圆处理腔室内的气体从排风背板的排风口进入环形排风罩进行汇集,并通过环形排风罩的底部引出结构向下方的排气管路引出;
所述进风面板上不同面积的进风口按照特定方式分布,所述进风口为台阶孔形状,其包括位于进气侧的第一通孔和位于出气侧的第二通孔,第一通孔的截面积不同于第二通孔的截面积从而对流经进风口的气体流量进行调节;进风罩的进气流量偏大区域的进风口,其第一通孔内径设置较小尺寸;进风罩的进气流量偏小区域的进风口,其第一通孔内径设置较大尺寸。
2.如权利要求1所述的通风系统,其特征在于,位于进风面板上不同位置处的进风口的第一通孔的截面积不完全相同以使各进风口的气体流量均匀,各进风口的第二通孔的截面积均相同以使各进风口向晶圆处理腔室内喷射的气流速度基本一致。
3.如权利要求1所述的通风系统,其特征在于,位于进风面板中心区的进风口的第一通孔的截面积大于位于边缘区的进风口的第一通孔的截面积。
4.如权利要求1所述的通风系统,其特征在于,位于进风面板环形区预设位置的进风口的第一通孔的截面积为所有第一通孔中的最大值,其中,环形区位于中心区和边缘区之间。
5.如权利要求1所述的通风系统,其特征在于,所述第一通孔的截面积小于第二通孔的截面积。
6.如权利要求1所述的通风系统,其特征在于,所述第一通孔和第二通孔均为柱形结构,第一通孔与第二通孔同轴心。
7.如权利要求1所述的通风系统,其特征在于,所述第二通孔的长度与第一通孔的长度的比值在1至20之间。
8.如权利要求1所述的通风系统,其特征在于,所述第一通孔的内径为0.1~30mm,第二通孔的内径为0.1~30mm。
9.如权利要求1所述的通风系统,其特征在于,所述第一通孔的长度为0.1~20mm,第二通孔的长度为0.1~100mm。
10.一种晶圆竖直旋转处理设备,其特征在于,包括:用于竖直旋转晶圆的夹持机构和用于输送流体的供给臂;所述供给臂可竖直地摆动并经由设置于其自由端处的喷射机构将流体供应至晶圆上;还包括如权利要求1至9任一项所述的通风系统。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造