[发明专利]半导体结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括衬底及位于所述衬底上的第一介质层；

于所述基底内形成硅通孔，所述硅通孔贯穿所述第一介质层并延伸至所述衬底内，且所述硅通孔的深度小于所述基底的厚度；

于所述硅通孔内形成导电结构；

于所述第一介质层和所述衬底内形成填充孔，所述填充孔环绕所述导电结构，且暴露出所述导电结构的侧壁及部分所述衬底，所述填充孔的侧壁呈台阶状；

于所述填充孔内形成导热结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述导电结构包括金属阻挡层和导电层，所述于所述硅通孔内形成导电结构之前还包括：

于所述硅通孔的侧壁及底部形成第二介质层；

于所述第二介质层表面形成第一金属层。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一介质层和所述衬底内形成填充孔，包括：

刻蚀所述第一介质层，以于所述第一介质层内形成填充通孔；

去除部分所述第二介质层，使得保留的所述第二介质层的上表面低于所述衬底的上表面，以于所述衬底内形成填充间隙，所述填充间隙与所述填充通孔共同构成所述填充孔。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述填充孔的直径自底部至顶部呈阶梯型增大。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述填充孔内形成导热结构，包括：

于所述填充孔内填充导热金属作为所述导热结构，所述导热结构填满所述填充孔。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述衬底包括硅衬底，所述于所述填充孔内形成导热结构，还包括：

将所得导热结构进行退火处理，所述导热结构与所述衬底反应形成金属硅化物层。

7.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二介质层包括二氧化硅层；所述第一金属层包括钴层、铝层、氮化钛层或钌层；所述金属阻挡层包括钽层或氮化钽层；所述导热金属包括钨、银、铂、铝、镍、钌或钴。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，于所述第一介质层内形成填充孔之后，且于所述填充孔内形成导热结构之前，还包括：

对暴露出的所述衬底进行离子轰击，以于所述衬底内形成疏松区域，所述疏松区域环绕所述导电结构。

9.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括衬底及位于所述衬底上表面的第一介质层；

导电结构，贯穿所述第一介质层并延伸至所述衬底内，所述导电结构的深度小于所述基底的厚度；

导热结构，位于所述基底内，且环绕所述导电结构，所述导热结构的侧壁呈台阶状。

10.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

第一金属层，位于所述导电结构的侧壁和底部；

第二介质层，位于所述衬底内，覆盖所述第一金属层的底部及部分侧壁。

11.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述导电结构包括金属阻挡层和导电层；所述金属阻挡层位于所述导电层与所述第一金属层之间。

12.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述导热结构的直径自底部至顶部呈阶梯型增大。

13.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述导热结构包括导热金属。

14.根据权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括疏松区域，所述疏松区域位于所述衬底内，且环绕所述导电结构。

15.根据权利要求14所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底包括硅衬底，所述半导体结构还包括金属硅化物层，所述金属硅化物层位于所述导热结构与所述疏松区域之间。