[发明专利]一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置在审
申请号: | 202110743843.0 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113540145A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 赵龙;章金惠;李程;袁毅凯;刘娜娜 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/52;H01L33/58;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 广东广盈专利商标事务所(普通合伙) 44339 | 代理人: | 李俊 |
地址: | 528051 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 器件 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供了一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置,该发光器件包括透明基板、若干个发光芯片、平坦化层、连接线路、器件电极和封装层;若干个发光芯片设置在透明基板的顶面上,任一个发光芯片具有位于顶面的芯片电极;若干个发光芯片中的至少一个发光芯片为第一发光芯片,第一发光芯片在透明基板的顶面上直接加工成型;平坦化层设置在透明基板顶面的非发光芯片设置位置上,平坦化层的顶面与芯片电极的顶面相平,平坦化层的顶面与芯片电极的顶面组合形成平坦面;连接线路设置在平坦面上,芯片电极与连接线路连接;器件电极设置在连接线路上,器件电极与连接线路连接;封装层封装连接线路和器件电极,器件电极的顶面外露于封装层。
技术领域
本发明涉及显示器件领域,具体涉及到一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置。
背景技术
随着超高清显示装置对像素要求不断提升,像素间距越来越小,相应的发光芯片尺寸也越来越小。随着发光芯片尺寸的不断缩小,发光芯片电极与对应的基板焊盘也不断缩小,为了满足产品设计需求,对基板的制作精度以及发光芯片电极与基板焊盘的对位精度要求越来越高。
现有技术的加工制程下发光芯片与基板焊盘容易发生对位异常,导致发光芯片与基板焊盘键合不良,使发光芯片难以直接安装在基板上,从而影响到了显示装置的普及和应用。
发明内容
为了克服现有技术的缺陷,本发明还提供了一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置,该发光器件通过在发光芯片上制作连接线路和器件电极,规避发光芯片与基板的键合工序,提高发光器件的制作良品率。
相应的,本发明提供了一种发光器件,其特征在于,包括透明基板、若干个发光芯片、平坦化层、连接线路、器件电极和封装层;
若干个所述发光芯片设置在所述透明基板的顶面上,任一个所述发光芯片具有位于顶面的芯片电极;
若干个所述发光芯片中的至少一个发光芯片为第一发光芯片,所述第一发光芯片在所述透明基板的顶面上直接加工成型;
所述平坦化层设置在所述透明基板顶面的非发光芯片设置位置上;所述平坦化层的顶面与所述芯片电极的顶面相平,所述平坦化层的顶面与所述芯片电极的顶面组合形成平坦面;
所述连接线路设置在所述平坦面上,所述芯片电极与所述连接线路连接;
所述器件电极设置在所述连接线路上,所述器件电极与所述连接线路连接;
所述封装层封装所述连接线路和所述器件电极,所述器件电极的顶面外露于所述封装层。
可选的实施方式,所述若干个发光芯片中的至少一个发光芯片为第二发光芯片,所述第二发光芯片基于粘结层设置在所述透明基板的顶面上。
可选的实施方式,所述发光器件还包括波长转换层,所述波长转换层嵌入设置在所述透明基板中,且所述波长转换层的设置位置与对应的所述发光芯片相对。
可选的实施方式,所述发光器件还包括挡墙,所述挡墙包围设置在所述波长转换层的侧面上。
可选的实施方式,所述发光器件还包括散热通道,所述散热通道设置在所述平坦化层中并与对应的所述挡墙接触;
所述散热通道中填充有导热材料。
可选的实施方式,所述发光器件还包散热线路和散热凸块;
所述散热线路设置在所述平坦面上,所述散热线路与所述散热通道连接;
所述散热凸块设置在所述散热线路上,所述封装层封装所述散热线路和所述散热凸块,所述散热凸块的顶面外露于所述封装层。
相应的,本发明还提供了一种发光器件制作方法,用于以上任一项所述的发光器件的制作,包括以下步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的