[发明专利]一种发光器件、发光器件制作方法及显示装置在审
申请号: | 202110743843.0 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN113540145A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 赵龙;章金惠;李程;袁毅凯;刘娜娜 | 申请(专利权)人: | 佛山市国星光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/52;H01L33/58;H01L33/62;H01L33/64 |
代理公司: | 广东广盈专利商标事务所(普通合伙) 44339 | 代理人: | 李俊 |
地址: | 528051 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 发光 器件 制作方法 显示装置 | ||
1.一种发光器件,其特征在于,包括透明基板、若干个发光芯片、平坦化层、连接线路、器件电极和封装层;
若干个所述发光芯片设置在所述透明基板的顶面上,任一个所述发光芯片具有位于顶面的芯片电极;
若干个所述发光芯片中的至少一个发光芯片为第一发光芯片,所述第一发光芯片在所述透明基板的顶面上直接加工成型;
所述平坦化层设置在所述透明基板顶面的非发光芯片设置位置上;所述平坦化层的顶面与所述芯片电极的顶面相平,所述平坦化层的顶面与所述芯片电极的顶面组合形成平坦面;
所述连接线路设置在所述平坦面上,所述芯片电极与所述连接线路连接;
所述器件电极设置在所述连接线路上,所述器件电极与所述连接线路连接;
所述封装层封装所述连接线路和所述器件电极,所述器件电极的顶面外露于所述封装层。
2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述若干个发光芯片中的至少一个发光芯片为第二发光芯片,所述第二发光芯片基于粘结层设置在所述透明基板的顶面上。
3.如权利要求1或2所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括波长转换层,所述波长转换层嵌入设置在所述透明基板中,且所述波长转换层的设置位置与对应的所述发光芯片相对。
4.如权利要求3所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括挡墙,所述挡墙包围设置在所述波长转换层的侧面上。
5.如权利要求4所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包括散热通道,所述散热通道设置在所述平坦化层中并与对应的所述挡墙接触;
所述散热通道中填充有导热材料。
6.如权利要求5所述的发光器件,其特征在于,所述发光器件还包散热线路和散热凸块;
所述散热线路设置在所述平坦面上,所述散热线路与所述散热通道连接;
所述散热凸块设置在所述散热线路上,所述封装层封装所述散热线路和所述散热凸块,所述散热凸块的顶面外露于所述封装层。
7.一种发光器件制作方法,其特征在于,用于权利要求1至6任一项所述的发光器件的制作,包括以下步骤:
发光芯片加工:基于发光器件结构选用预设大小的透明基板,并根据第一发光芯片的设置位置于所述透明基板的顶面上加工出所述第一发光芯片;在所述发光器件包括第二发光芯片的情况下,将所述第二发光芯片基于粘接层固定在所述透明基板顶面的预设位置上;
平坦化层加工:于所述透明基板顶面上的任意两个相邻发光芯片之间加工出平坦化层,所述平坦化层的顶面与所述芯片电极的顶面相平,所述平坦化层的顶面和所述芯片电极的顶面组合形成平坦面;
连接线路加工:基于预设连接线路结构在所述平坦面上加工出连接线路,所述芯片电极与所述连接线路连接;
器件电极加工:于所述连接线路的预设位置上加工出器件电极,所述器件电极与所述连接线路连接;
发光器件封装:基于封装材料封装所述连接线路和所述器件电极并保持所述器件电极的顶面外露。
8.如权利要求7所述的发光器件制作方法,其特征在于,所述发光器件制作方法还包括以下步骤:
波长转换层加工:于所述透明基板的底面上对应所述发光芯片的位置开设填充孔,将波长转换材料填入所述填充孔中形成波长转换层。
9.如权利要求8所述的发光器件制作方法,其特征在于,所述发光器件制作方法还包括以下步骤:
挡墙加工:于所述填充孔的侧壁上利用光反射材料或光吸收材料加工出挡墙,将所述波长转换材料填入至所述挡墙的包围区域内形成所述波长转换层。
10.如权利要求9所述的发光器件制作方法,其特征在于,所述发光器件制作方法还包括以下步骤:
散热通道加工:在所述平坦化层中预留通孔,将导热材料填充至所述通孔中形成散热通道,所述散热通道与对应的所述挡墙接触设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的