[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

下部结构，其包括衬底和所述衬底上的电路元件；

图案结构，其设置在所述下部结构上，并且包括下图案层、所述下图案层上的中间图案层、以及所述中间图案层上的上图案层；

堆叠结构，其包括在竖直方向上交替地堆叠在所述图案结构上的栅极层和层间绝缘层；以及

竖直存储器结构，其在所述竖直方向上穿透所述堆叠结构，并与所述图案结构接触，

其中，所述竖直存储器结构包括：

核心区；

沟道层，其在所述核心区的侧表面和底表面上；

数据存储结构，其在所述沟道层的外侧表面和底表面上；和

焊盘图案，其接触所述沟道层，并且在所述核心区上，所述数据存储结构包括第一介电层、第二介电层、以及所述第一介电层与所述第二介电层之间的数据存储层，

所述第一介电层与所述栅极层相邻，并且所述第二介电层与所述沟道层接触，并且

所述数据存储层的上端和所述第二介电层的上端在垂直于所述竖直方向的第一方向上与所述栅极层中的最上栅极层重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一介电层从插入在所述最上栅极层与所述数据存储层之间的部分延伸至所述最上栅极层与所述焊盘图案之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一介电层具有彼此相对的第一表面和第二表面，

其中，所述第一表面与所述数据存储层和所述焊盘图案接触，并且

所述第二表面面向所述栅极层中的每一个。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述沟道层在所述第一方向上具有第一水平厚度，并且

所述焊盘图案在所述第一方向上具有大于所述第一水平厚度的第二水平厚度。

5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述焊盘图案在所述第一方向上与所述最上栅极层的至少一部分重叠，并且

所述焊盘图案与所述数据存储层的上端、所述第二介电层的上端和所述沟道层的上端接触。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述核心区在穿透所述上图案层和所述中间图案层的同时延伸到所述下图案层中，

所述中间图案层包括水平部分和连接到所述水平部分并在所述竖直方向上延伸的上竖直部分和下竖直部分，

所述水平部分以及所述上竖直部分和所述下竖直部分接触所述核心区的侧表面，并且

所述上竖直部分的上端在所述第一方向上与所述栅极层中的最下栅极层重叠。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述数据存储层具有与所述上竖直部分的上端接触的下表面，并且所述数据存储层的下表面在所述竖直方向上位于比所述最下栅极层的下表面高的水平高度处。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第二介电层具有与所述上竖直部分的上端接触的下表面，并且所述第二介电层的下表面在所述竖直方向上位于比所述最下栅极层的下表面高的水平高度处。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括：覆盖所述堆叠结构的第一封盖绝缘层和第二封盖绝缘层；

接触插塞，其穿透所述第一封盖绝缘层和所述第二封盖绝缘层并连接到所述焊盘图案；以及

位线，其连接到所述接触插塞。