[发明专利]发光二极管芯片的转移方法、临时基板及显示组件

说明书

本申请涉及一种发光二极管芯片的转移方法、临时基板及显示组件，所述临时基板包括承载面和背面及数个填充光解胶的通孔，所述通孔贯穿所述承载面和背面，将生长基板形成有发光二极管芯片的一侧与所述临时基板的承载面相对，并且所述发光二极管芯片的电极与所述通孔内的光解胶粘接并去除生长基板，在通过转移基板与临时基板上的目标发光二极管芯片的基底粘贴，通过激光从所述临时基板的背面照射目标发光二极管芯片所在位置对应的所述光解胶，使目标发光二极管芯片与所述临时基板分离并去除所述临时基板，最后通过转移基板将所述目标发光二极管芯片转移至显示背板。

技术领域

本申请涉及显示屏制作领域，尤其涉及一种发光二极管芯片的转移方法、临时基板及显示组件。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，Micro-LED)，即发光二极管微缩化和矩阵化技术，具有良好的稳定性及更高的光电效率，而且具有低功耗、色彩饱满、对比度强等优点。因此，微型发光二极管被较多的应用在显示屏领域，例如微型发光二极管显示屏。

目前，制造Micro-LED显示面板最大的瓶颈在于如何使其能够量产化；而实现量产化最有效的方式就是实现巨量转移(Mass Transfer)技术，Micro LED显示面板包括阵列基板以及阵列排布在阵列基板上的多颗Micro LED，每颗Micro LED可以视为一个像素。在显示器的制作过程中，通常采用巨量转移技术将红绿蓝三种发光二极管芯片从各自的生长基板转移放置在显示背板上形成像素单元。但是目前采用激光剥离的转移方式存在对像素的发光二极管芯片产生损伤的问题。因此，如何保证转移成功率及避免损伤二极管的巨量转移微型发光二极管芯片是亟需克服的问题。

发明内容

鉴于上述现有技术，本申请的目的在于提供微型发光二极管芯片的转移方法，旨在解决现有的微型发光二极管芯片的转移方法无法保证成功率和质量的技术问题。

此外，本申请还提供了一种临时基板及显示组件。

本发明提供一种发光二极管芯片的转移方法，包括：

提供生长基板，所述生长基板的一侧设置有数个呈阵列排列的发光二极管芯片，每个所述发光二极管芯片的电极设置在远离所述生长基板的一侧；

提供临时基板，所述临时基板包括数个填充光解胶的通孔、承载面及背面，所述通孔贯穿所述承载面和背面；其中，所述承载面和所述背面背向设置；

将所述生长基板形成有发光二极管芯片的一侧与所述临时基板的承载面相对，并且所述发光二极管芯片的电极与所述通孔内的光解胶粘接；

将所述生长基板与所述发光二极管芯片剥离；

提供转移基板且使所述转移基板与目标发光二极管芯片的基底粘贴，通过激光从所述临时基板的背面照射目标发光二极管芯片所在位置对应的所述光解胶，使目标发光二极管芯片与所述临时基板分离并去除所述临时基板；其中，所述目标发光二极管芯片为待转移的发光二极管芯片；

通过转移基板将所述目标发光二极管芯片转移至显示背板。

其中，发光二极管芯片的转移方法还包括：

提供显示背板，所述显示背板包括驱动阵列，以及与所述驱动阵列连接的多组焊盘；

通过所述转移基板将所述目标发光二极管芯片的电极与所述焊盘键合；

去除所述转移基板。

其中，所述发光二极管芯片的电极与所述通孔内的光解胶粘接以使所述发光二极管芯片转移至所述临时基板上的步骤中，每一个所述发光二极管芯片的电极至少与一个通孔内的光解胶粘接。