[发明专利]一种硅片的清洗装置以及清洗方法

说明书

本发明实施例公开了一种硅片的清洗装置以及清洗方法，所述装置包括清洗槽，所述清洗槽包括承载已完成抛光工序的硅片的内槽以及围设于所述内槽外的外槽；设置在所述清洗槽正上方的淋洗槽，所述淋洗槽的底部设置有多排出水孔，所述淋洗槽中的去离子水能够通过所述多排出水孔排出并淋洗放置于所述内槽中的所述硅片；为所述淋洗槽供给去离子水的供水机构。

技术领域

本发明实施例涉及硅片加工技术领域，尤其涉及一种硅片的清洗装置以及清洗方法。

背景技术

硅片的抛光工艺是用于去除发生在成形工艺过程中硅片表面留下的微缺陷及表面应力损伤层从而使其表面更加平整的工艺。

在化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing，CMP)过程中，由于硅片与抛光浆料的化学反应以及抛光垫与硅片的摩擦，会生成研磨残余物和抛光垫渣滓残余物，当抛光浆料被循环使用时，未被过滤的残余物也会随着抛光浆料一起被循环使用，该残余物就会聚积于抛光垫表面。因此，再次使用受污染的抛光垫进行硅片加工时，硅片表面就会被粘带有残余物颗粒的抛光浆料所污染，形成硅片表面的颗粒杂质。在完成此抛光工序之后若不继续下一个加工工序，会暂时将抛光完成的硅片放置于水中，在放置过程中，因为水的污染和残余物的沉积就会使得硅片表面产生更严重的颗粒杂质污染，随之导致硅片的良率下降。另外，硅片表面的颗粒及杂质会形成氧化物，非常牢固地附着在硅片表面的自然氧化层上，对硅片产生进一步地损伤。

目前，一般会采用去离子水溢流的方式，使硅片表面的颗粒杂质随着水流而被不断地被去除。但是，这样溢流的方式针对比较重的颗粒杂质以及悬浮颗粒清洗效果欠佳，致使硅片表面仍有发生污染的风险。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例期望提供一种硅片的清洗装置以及清洗方法；能够有效地清洗掉硅片表面比较重的颗粒杂质以及悬浮颗粒物，提高硅片的清洗效果。

本发明实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种硅片的清洗装置，所述装置包括：

清洗槽，所述清洗槽包括承载已完成抛光工序的硅片的内槽以及围设于所述内槽外的外槽；

设置在所述清洗槽正上方的淋洗槽，所述淋洗槽的底部设置有多排出水孔，所述淋洗槽中的去离子水能够通过所述多排出水孔排出并淋洗放置于所述内槽中的所述硅片；

为所述淋洗槽供给去离子水的供水机构。

第二方面，本发明实施例提供了一种硅片的清洗方法，所述方法包括：

将抛光工序完成后的硅片放置于清洗槽的内槽中；

利用供给装置为清洗槽正上方的淋洗槽供给去离子水；

打开所述硅片正上方的所述淋洗槽底部的出水孔，使得所述淋洗槽中的去离子水排出并淋洗所述硅片。

本发明实施例提供了一种硅片的清洗装置以及清洗方法；利用本发明实施例提供的清洗装置，当硅片放置于清洗槽中准备进行清洗时，供水装置会为设置在清洗槽正上方的淋洗槽供给去离子水，而淋洗槽中的去离子水会通过设置在淋洗槽底部的出水孔排出并淋洗硅片，利用水的冲击力以及硅片表面颗粒杂质和悬浮颗粒自身的重力来达到清洗硅片的目的。

附图说明

图1为本发明实施例提供的硅片表面颗粒杂质示意图。

图2为本发明实施例提供的硅片的溢流清洗装置结构示意图。

图3为本发明实施例提供的一种硅片的清洗装置结构示意图。

图4为本发明实施例提供的花篮的具体结构示意图。

图5为本发明实施例提供的卡放硅片的卡槽对分布示意图。