[发明专利]一种硅片的清洗装置以及清洗方法在审
申请号: | 202110686731.6 | 申请日: | 2021-06-21 |
公开(公告)号: | CN113410165A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 严涛 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/02;B08B13/00 |
代理公司: | 西安维英格知识产权代理事务所(普通合伙) 61253 | 代理人: | 李斌栋;姚勇政 |
地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 清洗 装置 以及 方法 | ||
1.一种硅片的清洗装置,其特征在于,所述装置包括:
清洗槽,所述清洗槽包括承载已完成抛光工序的硅片的内槽以及围设于所述内槽外的外槽;
设置在所述清洗槽正上方的淋洗槽,所述淋洗槽的底部设置有多排出水孔,所述淋洗槽中的去离子水能够通过所述多排出水孔排出并淋洗放置于所述内槽中的所述硅片;
为所述淋洗槽供给去离子水的供水机构。
2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述供水机构中设置有水泵,所述水泵用于将所述供水机构中的去离子水传送至所述淋洗槽。
3.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述外槽的底部设置有排水管路。
4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述内槽的底部设置有多个通孔。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于,所述内槽中设置有承载所述硅片的花篮,所述花篮中包含上支架和下支架,所述上支架和所述下支架设置有上下相对应的多对卡槽,其中,所述每个卡槽对能够卡放一个所述硅片。
6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述淋洗槽还包括用于遮挡所述出水孔的移动挡板,其中,
在清洗所述硅片时,所述移动挡板能够移动至所述出水孔的一侧且与所述出水孔分离以使得所述出水孔被打开;以及,
当清洗工作完成后,所述移动挡板能够移动至所述出水孔的上侧且与所述出水孔完全贴合以使得所述出水孔被封闭。
7.根据权利要求5所述的装置,其特征在于,所述装置还包括多个压力传感器,所述每个压力传感器设置在所述每个卡槽对的一侧且与所述每个卡槽对相接触,以检测对应的每个所述卡槽对中是否放置有所述硅片。
8.根据权利要求7所述的装置,其特征在于,所述装置还包括控制单元,所述控制单元与所述压力传感器以及所述移动挡板相连接,用于:
根据所述压力传感器感测的压力数据确定卡放所述硅片的所述卡槽对的具体位置;
根据所述具体位置,控制所述移动挡板打开所述硅片正上方的所述出水孔,以清洗所述硅片。
9.一种硅片的清洗方法,其特征在于,所述方法包括:
将抛光工序完成后的硅片放置于清洗槽的内槽中;
利用供给装置为清洗槽正上方的淋洗槽供给去离子水;
打开所述硅片正上方的所述淋洗槽底部的出水孔,使得所述淋洗槽中的去离子水排出并淋洗所述硅片。
10.根据权利要求9所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
当所述硅片清洗完成后,闭合所述硅片正上方的所述出水孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料科技有限公司,未经西安奕斯伟硅片技术有限公司;西安奕斯伟材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110686731.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造