[发明专利]半导体装置

说明书

实施方式提供一种能够使框架与树脂部件的密接性提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：框架，具有裸片焊盘、从上述裸片焊盘延伸的端子、和设在上述裸片焊盘的上表面上的槽；半导体元件，被配置在上述裸片焊盘的上述上表面的不与上述槽重叠的区域中；以及树脂部件，将上述半导体元件覆盖并设在上述槽内。上述槽具有底面和设在上述底面的第1凹凸。

本申请以日本专利申请第2021－42330号(申请日：2021年3月16日)为基础主张优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及半导体装置。

背景技术

有通过在框架上形成槽而实现与封固树脂的密接性的提高的半导体装置。但是，根据树脂的种类与产品设计的组合，框架与树脂的密接性变得不充分，可能影响到将半导体装置用于车载等时的品质保证。

发明内容

本发明的目的是提供一种能够使框架与树脂部件的密接性提高的半导体装置。

根据技术方案，半导体装置具备：框架，具有裸片焊盘、从上述裸片焊盘延伸的端子、和设在上述裸片焊盘的上表面上的槽；半导体元件，被配置在上述裸片焊盘的上述上表面的不与上述槽重叠的区域中；以及树脂部件，将上述半导体元件覆盖并设在上述槽内。上述槽具有底面和设在上述底面上的第1凹凸。

附图说明

图1是实施方式的半导体装置的示意俯视图。

图2的(a)是第1实施方式的槽的示意俯视图，图2的(b)是沿着图2的(a)的A－A线的剖视图，图2的(c)是沿着图2的(a)的B－B线的剖视图。

图3的(a)～图5的(b)是表示第1实施方式的槽的形成方法的示意图。

图6的(a)是第2实施方式的槽的示意俯视图，图6的(b)是沿着图6的(a)的C－C线的剖视图，图6的(c)是沿着图的6(a)的D－D线的剖视图。

图7的(a)～图7的(c)是表示第2实施方式的槽的形成方法的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图对实施方式进行说明。另外，在各图中，对于相同的结构赋予相同的标号。

图1是实施方式的半导体装置1的示意俯视图。

半导体装置1具备框架10、半导体元件30和树脂部件40。另外，在图1中，为了使内部构造的说明容易理解，树脂部件40仅用双点划线表示外形线。

框架10具有裸片焊盘20和延伸到裸片焊盘20的外侧的第1～第3端子11～13。框架10由金属材料形成，例如由Cu形成。

裸片焊盘20的俯视形状例如是具有包括在第1方向X上延伸的一对边部21、22和在与第1方向X正交的第2方向Y上延伸的一对边部23、24在内的4个边部21～24的四边形状。

多个第1端子11从裸片焊盘20的1个边部23突出。第1端子11与裸片焊盘20一体地设置。

第2端子12及第3端子13以与裸片焊盘20的设有第1端子11的边部23的相反侧的边部24对置的方式取位，向与第1端子11相反的方向突出。第2端子12及第3端子13与裸片焊盘20分离。多个第2端子12一体地设置。第2端子12和第3端子13相互分离。

框架10被从多个框架一体地相连而成的引线框架切割出。在第2方向Y上邻接的框架彼此被用连结部14、15连结，通过将连结部14、15切断，框架10在第2方向Y上被与其他框架分离。在框架10的在第1方向X上延伸的边部21、22，分别突出而残留着切断后的连结部14、15的一部分。

此外，多个框架经由第1～第3端子11～13在第1方向X上被连结，通过将第1～第3端子11～13切断，框架10在第1方向X上被与其他的框架分离。