[发明专利]机械手及半导体加工设备在审
申请号: | 202110608342.1 | 申请日: | 2021-06-01 |
公开(公告)号: | CN113437010A | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 平林军;任晓滨 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;B25J15/06;B25J11/00 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 施敬勃 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机械手 半导体 加工 设备 | ||
本申请公开一种机械手及半导体加工设备,所公开的机械手包括支撑臂(100)和吸附件(200),支撑臂(100)与吸附件(200)固定相连,吸附件(200)开设有负压吸附孔,吸附件(200)的外侧边缘开设有圆弧形豁口(211),圆弧形豁口(211)与支撑臂(100)分别位于吸附件(200)相背的两侧。本申请采用的技术方案能够解决背景技术中的机械手较容易将工艺腔在加工过程中产生的副产物附着在待加工件上,最终导致待加工件的质量不佳的问题。
技术领域
本申请涉及半导体加工工艺技术领域,尤其涉及一种机械手及半导体加工设备。
背景技术
相关技术中,半导体加工设备通过机械手对待加工件进行输送。在具体的工作过程中,机械手会将待加工件从承载腔传输至工艺腔,使得待加工件在工艺腔中被加工。由于工艺腔在加工的过程中会产生副产物,因此机械手在将加工完成的待加工件从工艺腔中取出时,较容易沾上副产物。由此导致,机械手下一次从承载腔中抓起待加工件向工艺腔输送时,会导致这些副产物附着在未加工的待加工件上,由此导致在工艺腔进行加工的过程中待加工件的质量会出现问题。经过检测,较为普遍的问题是,待加工件上会出现多晶现象,最终导致待加工件的质量不佳。
发明内容
本申请实施例的目的是公开一种机械手及半导体加工设备,以解决相关技术中的机械手较容易将工艺腔在加工过程中产生的副产物附着在待加工件上,最终导致待加工件的质量不佳的问题。
为解决上述技术问题,本申请采用下述技术方案:
第一方面,本申请实施例提供一种机械手,所公开的机械手包括支撑臂和吸附件,所述支撑臂与所述吸附件固定相连,所述吸附件开设有负压吸附孔,所述吸附件的外侧边缘开设有圆弧形豁口,所述圆弧形豁口与所述支撑臂分别位于所述吸附件相背的两侧。
第二方面,本申请实施例提供一种半导体加工设备,所公开的半导体加工设备包括上文所述中任一项的机械手。
本申请采用的技术方案能够达到以下有益效果:
本申请实施例公开的机械手通过对相关技术中的机械手的结构进行改进,通过在吸附件上与支撑臂相背分布的区域开设圆弧形豁口,用来缓解开设圆弧形豁口的区域容易出现副产物的现象,从而能够间接缓解由机械手致使待加工件沾染上副产物的情况,使得待加工件沾染的副产物较少,因此能够缓解副产物对待加工件的质量影响,进而能够提升待加工件的质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或背景技术中的技术方案,下面将对实施例或背景技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍,显而易见地,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例公开的机械手的俯视图。
附图标记说明:
100-支撑臂;
200-吸附件、210-外环吸附区域、211-圆弧形豁口、212-第一吸附孔、220-内环吸附区域、221-第二吸附孔、230-连接孔。
具体实施方式
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请具体实施例及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
以下结合附图,详细说明本申请各个实施例公开的技术方案。
请参考图1,本申请实施例公开一种机械手及半导体加工设备,所公开的机械手包括支撑臂100和吸附件200。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造