[发明专利]显示面板及其制作方法有效
申请号: | 202110593194.0 | 申请日: | 2021-05-28 |
公开(公告)号: | CN113363276B | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 赖志维 | 申请(专利权)人: | 业成科技(成都)有限公司;业成光电(深圳)有限公司;业成光电(无锡)有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/06;H01L33/44;H01L33/48 |
代理公司: | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人: | 杨冬梅;张行知 |
地址: | 611730 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制作方法 | ||
本申请涉及一种显示面板及其制作方法,显示面板制作方法包括以下步骤:在第一基板表面形成多个间隔设置的量子点层;在每两个相邻的量子点层之间形成遮挡层;在第二基板表面设置发光二极管元件;发光二极管元件与量子点层相对设置;封装第一基板与第二基板。本申请的显示面板制作方法,通过首先在第一基板表面形成多个间隔设置的量子点层,便于在形成量子点层时调节每个量子点层所占的区域大小,同时使两个相邻的量子点层之间的间距保持较小的尺寸,随后在每两个相邻的量子点层之间形成遮挡层,所形成的遮挡层的线宽较窄,遮挡层对显示区域的遮挡程度较小,显示面板中量子点层之间的间距较小,显示效果好。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板及其制作方法。
背景技术
Micro LED(Micro Light Emitting Diode)显示装置相比OLED(Organic LightEmitting Diode,有机发光二极管)显示装置具有可靠性高、色域高、亮度高、透明度高、像素密度高、封装要求低等优势,更容易实现柔性及无缝拼接显示,是未来极具有发展潜力的显示装置。
在Micro LED显示面板中,为了避免不同像素区域之间的颜色互相干扰的问题,需要采用遮挡层将不同的像素区域隔开。而相关技术中在制作显示面板时,通常先制作遮挡层,随后在遮挡层上空缺的区域制作像素区域。受限于制作精度,遮挡层的线宽较宽,带来的问题是显示面板中相邻的像素区域间距较大,显示效果较差。
发明内容
基于此,有必要针对显示面板中相邻的像素区域间距较大,显示效果较差的问题,提供一种显示面板及其制作方法。
本申请实施例提供了一种显示面板制作方法,包括以下步骤:在第一基板表面形成多个间隔设置的量子点层;在每两个相邻的量子点层之间形成遮挡层;在第二基板表面设置发光二极管元件;发光二极管元件与量子点层相对设置;封装第一基板与第二基板。
在其中一个实施例中,在第二基板表面设置发光二极管元件的步骤包括:在第二基板表面设置多个蓝色微型发光二极管。
在其中一个实施例中,在第二基板表面设置发光二极管元件的步骤包括:将各蓝色微型发光二极管与各量子点层一一对应设置。
在其中一个实施例中,量子点层包括分别间隔设置的红色量子点层、绿色量子点层和透明层,红色量子点层具有红色量子点光阻,绿色量子点层具有绿色量子点光阻。
在其中一个实施例中,遮挡层具有黑色光阻。
在其中一个实施例中,沿垂直于第一基板表面的方向,绿色量子点层的高度大于遮挡层的高度。
在其中一个实施例中,沿垂直于第一基板表面的方向,遮挡层的高度大于红色量子点层的高度。
在其中一个实施例中,沿垂直于第一基板表面的方向,红色量子点层的高度大于透明层的高度。
在其中一个实施例中,沿量子点层的设置方向,红色量子点层、绿色量子点层和透明层的宽度均相等,且红色量子点层、绿色量子点层和透明层的宽度均大于遮挡层的宽度。
本申请实施例还提供了一种显示面板,包括:第一基板,第一基板表面具有多个间隔设置的量子点层,每两个相邻的量子点层之间具有遮挡层;第二基板,与第一基板相对设置,第二基板表面设有发光二极管元件,且发光二极管元件与量子点层相对设置。
基于本申请实施例的显示面板及其制作方法,通过首先在第一基板表面形成多个间隔设置的量子点层,便于在形成量子点层时调节每个量子点层所占的区域大小,同时使两个相邻的量子点层之间的间距保持较小的尺寸,随后在每两个相邻的量子点层之间形成遮挡层,由于此时第一基板表面预留给遮挡层的空间只有两个相邻的量子点层之间的区域,因此,所形成的遮挡层的线宽自然较窄,遮挡层对显示区域的遮挡程度较小,显示面板中量子点层之间的间距较小,显示效果好。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的