[发明专利]半导体装置的制造方法在审

申请号：	202110517064.9	申请日：	2021-05-12
公开（公告）号：	CN113380625A	公开（公告）日：	2021-09-10
发明（设计）人：	潘昇良;陈泳字;李中杰;徐永昌;洪嘉阳;王柏荃;陈冠亘;林焕哲	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	黄艳
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体装置制造方法
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【说明书】：

一种半导体装置的制造方法，包含形成第一介电层于半导体鳍片上。上述方法包含形成第二介电层于第一介电层上。上述方法包含露出第一介电层的部分。上述方法包含在限制第一介电层的暴露部分的氧化的同时，氧化第二介电层的表面。

技术领域

本公开涉及半导体装置，特别是涉及非平面晶体管的制造方法。

背景技术

由于各种电子元件(如晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度不断提升，半导体工业经历了快速的成长。大部分的情况下，集成密度的提高是由于最小特征的尺寸不断缩小，这使得更多的元件可以集成到一个特定区域中。

鳍式场效晶体管(FinFET)装置在集成电路中的应用日益普遍。FinFET装置具有三维结构，包含从基板上突出的鳍片。栅极结构围绕鳍片，用以控制电荷载子在FinFET装置的导电通路内的流动。例如，在三栅极(tri-gate)FinFET装置中，栅极结构包绕(wraparound)鳍片的三个侧面，从而在鳍片的三个侧面上形成导电通路。

发明内容

本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包含：形成第一介电层于半导体鳍片上；形成第二介电层于第一介电层上；露出第一介电层的部分；以及在限制第一介电层的暴露部分的氧化的同时，氧化第二介电层的表面。

本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包含：沉积第一介电层于横跨半导体鳍片的鳍片结构上，其中第一介电层具有第一氧浓度；沉积第二介电层于第一介电层上，其中第二介电层具有小于第一氧浓度的第二氧浓度；露出第一介电层的部分；以及在避免第一介电层的暴露部分被氧化的同时，氧化第二介电层的表面。

本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包含：形成鳍片结构以横跨半导体鳍片；沉积第一介电层于鳍片结构以及半导体鳍片上；沉积第二介电层于第一介电层上；图案化第一及第二介电层，以形成沿鳍片结构的侧壁延伸的鳍片间隔物；以及在避免第一介电层的暴露部分氧化的同时，氧化第二介电层的表面。

附图说明

由以下的详细叙述配合所附图式，可最好地理解本发明实施例。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制。事实上，可任意地放大或缩小各种元件的尺寸，以清楚地表现出本发明实施例的特征。

图1是根据一些实施例，绘示出的鳍式场效应晶体管(FinFET)装置的透视图

图2是根据一些实施例，绘示出非平面晶体管装置的范例制造方法的流程图。

图3-图14是根据一些实施例，绘示出通过图2的方法制造的范例FinFET装置(或范例FinFET装置的一部分)在各个制造阶段期间的剖面图。

其中，附图标记说明如下：

100：FinFET装置

102：基板