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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]制造半导体器件的方法-CN202210813126.5在审
发明人：洪嘉阳;林焕哲;潘昇良;陈泳字;王柏荃;陈冠亘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本文描述了半导体器件和制造半导体器件的方法。方法包括形成穿过介电层的第一开口，该第一开口暴露导电区域。在形成第一开口之后使用湿清洁，并且在湿清洁第一开口之后处理第一开口，处理第一开口包括将侧壁处理前体和底部处理前体转变为第一等离子体混合物，侧壁处理前体不同于底部处理前体。在处理第一开口之后，用导电材料填充第一开口。
制造半导体器件方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202210275753.8在审
发明人：潘昇良;陈泳字;李中傑;徐永昌;洪嘉阳;王柏荃;陈冠亘;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体元件及其制造方法，制造方法包含形成栅极结构于半导体基板上；沉积含碳密封层于栅极结构之上；沉积含氮密封层于含碳密封层之上；引入含氧前驱物于含氮密封层上；加热基板使含氧前驱物解离成氧自由基，以将氧自由基掺杂至含氮密封层中；于加热基板后，蚀刻含氮密封层及含碳密封层，使得含氮密封层及含碳密封层的剩余物留在栅极结构的侧壁上作为栅极间隙壁。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202110517064.9在审
发明人：潘昇良;陈泳字;李中杰;徐永昌;洪嘉阳;王柏荃;陈冠亘;林焕哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包含形成第一介电层于半导体鳍片上。上述方法包含形成第二介电层于第一介电层上。上述方法包含露出第一介电层的部分。上述方法包含在限制第一介电层的暴露部分的氧化的同时，氧化第二介电层的表面。
半导体装置制造方法

[发明专利]用于形成具有部件开口的半导体器件的方法-CN201510610877.7有效
发明人： 陈泳字;陈玉树;刘又诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：提供了一种用于形成半导体器件结构的方法。该方法包括：在半导体衬底上方形成介电层和在介电层上方形成硬掩模层。该方法也包括实施等离子体蚀刻工艺以蚀刻硬掩模层从而形成开口，并且在等离子体蚀刻工艺中使用的气体混合物包括含氮气体、含卤素气体和含碳气体。气体混合物的含氮气体的体积浓度在从约20％至约30％的范围内。气体混合物中的含碳气体与含卤素气体的体积浓度比等于约0.3。该方法还包括通过硬掩模层中的开口蚀刻介电层以在介电层中形成部件开口。该方法还包括在部件开口中形成导电材料。本发明实施例涉及用于形成具有部件开口的半导体器件的方法。
用于形成具有部件开口半导体器件机制

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