[发明专利]双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法在审
| 申请号： | 202110504900.X | 申请日： | 2021-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN113394080A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 魏想 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双重 图形 工艺 减少 光刻 中毒 方法 | ||
1.一种双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，按设计流片流程依次沉积第一NDC层、TEOS层、ULK层、第二NDC层、第一NFDARC层、TIN层和第二NFDARC层；
S2,双重硬掩膜曝光，第一重通孔曝光刻蚀,使第二NDC层裸露在第一重通孔侧壁；
S3，执行硅烷等离子体处理；
S4，执行后续设计流片流程。
2.如权利要求1所述的双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法，其特征在于：所述第二NDC层作为硬掩膜层。
3.如权利要求1所述的双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法，其特征在于：步骤S3中，所述硅烷等离子体处理压力范围为1torr-3torr。
4.如权利要求1所述的双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法，其特征在于：步骤S3中，所述硅烷等离子体处理通入的氦流量为1000sccm-10000sccm。
5.如权利要求1所述的双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法，其特征在于：步骤S3中，所述硅烷等离子体处理通入硅烷流量100sccm-1000sccm。
6.如权利要求1所述的双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法，其特征在于：步骤S3中，所述硅烷等离子体处理温度范围为350℃-400℃。
7.如权利要求1所述的双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法，其特征在于：步骤S3中，所述硅烷等离子体处理采用的高频射频范围约为100瓦特-1000瓦特。
8.如权利要求1所述的双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法，其特征在于：步骤S3中，所述硅烷等离子体处理采用的低频射频范围约为100瓦特-1000瓦特。
9.如权利要求1所述的双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法，其特征在于：步骤S3中，所述硅烷等离子体处理持续时间范围约为5秒-20秒。
10.如权利要求1-9任意一项所述的双重图形工艺减少光刻胶中毒的方法，其特征在于：其能用于22nm、14nm和7nm及以下的双重图形工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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