[发明专利]集成电路及其形成方法

说明书

集成电路包括在衬底的背侧上的一电源轨组，第一触发器，第二触发器和第三触发器。该电源轨组在第一方向上延伸，第一触发器包括在第一方向上延伸的第一导电结构组。第二触发器在第一边界处邻接第一触发器。并且包括在第一方向上延伸的第二导电结构组。第三触发器在第二边界处邻接第二触发器。并且包括在第一方向上延伸的第三导电结构组，第一，第二和第三触发器在第一金属层上并且在衬底的与背侧相对的前侧上。第二导电结构组在第二方向上偏离第一边界和第二边界。本发明的实施例还涉及集成电路及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及集成电路及其形成方法。

背景技术

小型化集成电路(IC)的最新趋势已导致较小的设备消耗更少的功率， 但以更高的速度提供更多的功能。小型化过程还导致了更严格的设计和制 造规格以及可靠性挑战。各种电子设计自动化(EDA)工具可生成、优化 和验证集成电路的标准单元布局设计，同时确保满足标准单元布局设计和 制造规范。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种集成电路，包括：电源轨 组，位于衬底的背侧，并且在第一方向上延伸，每个电源轨在与所述第一 方向不同的第二方向上与相邻的电源轨分离；第一触发器，包括：第一导 电结构组，在所述第一方向上延伸并位于第一金属层上；第二触发器，在 第一边界处与所述第一触发器邻接，所述第二触发器包括：第二导电结构 组，在所述第一方向上延伸并位于所述第一金属层上，所述第二导电结构 组在所述第二方向上与所述第一导电结构组分离；以及第三触发器，在第 二边界处与所述第二触发器邻接，所述第三触发器包括：第三导电结构组， 在所述第一方向上延伸并位于所述第一金属层上，并在所述第二方向上与 所述第一导电结构组和所述第二导电结构组分离；其中，所述第一触发器， 所述第二触发器和所述第三触发器在与所述衬底的所述背侧相反的前侧上； 以及其中，所述第二导电结构组在所述第二方向上偏离所述第一边界和所 述第二边界。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种集成电路，包括：第一 电源轨，在衬底的背侧上并在第一方向上延伸；第一触发器，至少与所述 第一电源轨耦接，并包括第一区，所述第一区包括：第一反相器，耦接到 所述第一电源轨；和第一输入引脚，耦接到所述第一反相器；第二触发器， 至少与所述第一电源轨耦接并包括第二区，所述第二区在第一边界处与所 述第一区邻接，并且包括：第二反相器，耦接到所述第一电源轨；和第二 输入引脚，耦接到所述第二反相器，其中，所述第一触发器和所述第二触 发器在与所述衬底的所述背侧相反的前侧上；以及其中，所述第一输入引 脚和所述第二输入引脚在不同于所述第一方向的第二方向上从所述第一边 界偏离。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种制造集成电路的方法， 所述方法包括：在晶圆的前侧中制造第一晶体管组，从而形成第一触发器； 在所述第一晶体管组上沉积第一导电结构组，所述第一导电结构组在第一 方向上延伸并且位于第一水平上；在所述晶圆的与所述晶圆的所述前侧相 反的背侧上进行晶圆减薄；在所述晶圆的所述背侧上制造第一通孔组；和 至少在所述晶圆的所述背侧上沉积电源轨组，所述电源轨组在所述第一方 向上延伸，每个电源轨在与所述第一方向不同的第二方向上与相邻的电源 轨分离；其中，所述第一导电结构组在所述第二方向上与所述电源轨组的 第一电源轨的中心分离。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方 面。应该强调，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制并且仅用 于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增 大或减小。

图1是根据一些实施例的多位触发器(MBFF)的示意图。

图2是根据一些实施例的电路的电路图。

图3A是根据一些实施例的集成电路的电路图。

图3B是根据一些实施例的集成电路的电路图。

图4A-图4E是根据一些实施例的集成电路的布局设计的图。