[发明专利]半导体结构的形成方法在审

申请号：	202110403406.4	申请日：	2021-04-15
公开（公告）号：	CN113823598A	公开（公告）日：	2021-12-21
发明（设计）人：	刘书豪;詹前泰;陈亮吟;张惠政;杨育佳;陈思颖	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	H01L21/8234	分类号：	H01L21/8234;H01L29/10
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	黄艳
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体结构形成方法
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【说明书】：

本公开说明半导体结构与其形成方法。半导体结构可包含基板、具有第一高度与第一宽度的第一鳍状结构形成于基板上、具有第二高度与第二宽度的第二鳍状结构形成于基板上、与绝缘堆叠形成于第一鳍状结构与第二鳍状结构的下侧部分上。第二高度可实质上等于第一高度，且第二宽度可大于第一宽度。绝缘堆叠的上表面可低于第一鳍状结构与第二鳍状结构的上表面。

技术领域

本公开实施例涉及半导体结构，特别涉及在集成电路的不同区域提供不同的鳍状物宽度修整步骤(如蚀刻)。

背景技术

鳍状场效晶体管可具有鳍状结构以改善栅极对通道区的控制。集成电路的不同区域中的鳍状结构的尺寸可能变化。这些鳍状物尺寸变化会劣化集成电路效能。

发明内容

在一些实施例中，半导体结构的形成方法包括：形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上；分别以第一沉积速率与第二沉积速率沉积绝缘层于第一鳍状结构的上表面与第二鳍状结构的上表面上；以及移除绝缘层的一部分以露出第一鳍状结构的上表面与第二鳍状结构的上表面。第一鳍状结构的第一宽度小于第二鳍状结构的第二宽度。第一沉积速率大于第二沉积速率。移除绝缘层的部分的步骤包括使第一鳍状结构的第一宽度减少至第三宽度，并使第二鳍状结构的第二宽度减少至第四宽度，且第四宽度小于第三宽度。

在一些实施例中，半导体结构的形成方法包括：形成第一鳍状结构与第二鳍状结构于基板上；形成绝缘层于第一鳍状结构的上表面与第二鳍状结构的上表面上；以及移除绝缘层以露出第一鳍状结构的上表面与第二鳍状结构的上表面。第一鳍状结构之间的分隔小于第二鳍状结构之间的分隔。移除绝缘层的步骤使第一鳍状结构薄化至第一宽度，并使第二鳍状结构薄化至第二宽度，且第二宽度小于第一宽度。

在一些实施例中，半导体结构包括：基板；多个第一鳍状结构，形成于基板上并具有第一分隔于相邻的第一鳍状结构之间；以及多个第二鳍状结构，形成于基板上并具有第二分隔于相邻的第二鳍状结构之间。多个第一鳍状结构的第一分隔的平均值，小于多个第二鳍状结构的第二分隔的平均值。多个第一鳍状结构的顶部宽度的平均值，大于多个第二鳍状结构的顶部宽度的平均值。

附图说明

图1A是一些实施例中，半导体装置的等角图。

图1B是一些实施例中，半导体装置的上视图。

图1C至图1E是一些实施例中，半导体装置的剖视图。

图2是一些实施例中，制作半导体装置的方法的流程图。

图3至图8是一些实施例中，半导体装置于多种制作制程阶段的剖视图。

图9是一些实施例中，半导体装置于多种制作制程阶段中与鳍状物密度相关的鳍状物宽度分布图。

其中，附图标记说明如下：

ΔW_A，ΔW_B：宽度减少

ΔW₁₀₈，ΔW₄₀₈：宽度差异

A，B：区域

d_A1，d_A2，d_A3，d_A4，d_B1，d_B2，S_A1，S_A2，S_B1，S_B2：分隔