[发明专利]一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法

说明书

本发明提供了一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，包括如下步骤：步骤一，采用显微镜测量硅片背面的晶胞大小，同一硅片选取至少五个晶胞测量点，取平均值，以平均值作为晶胞大小，步骤二，根据平均值确定腐蚀工艺中的酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量；晶胞大小越大，碱腐蚀量越大，酸腐蚀量越小。本专利给予了一种腐蚀工艺确定的方法，硅片的晶胞大小与腐蚀工艺有很大的关系，本专利另辟蹊径，通过进行混腐蚀工艺的探究，发现了不同腐蚀工艺条件下与腐蚀后晶胞大小的关系。给予对硅片的腐蚀工艺的反推提供一个具有里程性的突破。

技术领域

本发明涉及硅片处理技术领域，具体涉及一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法。

背景技术

随着半导体芯片竞争日益激烈，客户对于衬底抛光片的质量要求越来越高，其中客户对于粗糙度要求更是要求越来越严格，衬底抛光片粗糙度过高会影响IC厂WER异常、电性击穿特性等，然而影响粗糙度主要工艺的腐蚀工艺各衬底厂商确不尽相同，如何找到腐蚀最优工艺进而改善粗糙度是摆在衬底厂商面前的一大难题！

在硅片腐蚀工艺的研发设计过程中，如何实现对当前硅片的腐蚀工艺进行反推，一直是无法克服的瓶颈之一。目前缺乏一种对硅片获知腐蚀工艺的方法。

发明内容

本发明提供了一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，已解决以上至少一个技术问题。

为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：

本发明提供了一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，采用显微镜测量硅片背面的晶胞大小，同一硅片选取至少五个晶胞测量点，取平均值，以平均值作为晶胞大小，

步骤二，根据平均值确定腐蚀工艺中的酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量；

晶胞大小越大，碱腐蚀量越大，酸腐蚀量越小。

本专利给予了一种腐蚀工艺确定的方法，硅片的晶胞大小与腐蚀工艺有很大的关系，本专利另辟蹊径，通过进行混腐蚀工艺的探究，发现了不同腐蚀工艺条件下与腐蚀后晶胞大小的关系。给予对硅片的腐蚀工艺的反推提供一个具有里程性的突破。

进一步优选地，所述碱腐蚀量增加1微米，晶胞的大小增加1-1.3微米。

进一步优选地，步骤二中，酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量的确定方法为选取实验片，对实验片采用碱液进行碱腐蚀，在采用酸液进行酸腐蚀，显微镜测量晶胞大小，晶胞大小的测量点至少选取五处，将碱腐蚀量、酸腐蚀量以及晶胞大小录入数据库；选取另一实验片，重复上述操作，变化对实验片的碱腐蚀厚度以及酸腐蚀厚度，将碱液腐蚀量、酸液腐蚀量以及晶胞大小录入数据库；

数据库内建立有关于碱腐蚀量、酸腐蚀量以及晶胞大小的模型数据，当需要对某一个硅片的碱腐蚀量以及酸腐蚀量进行确定时，测量晶胞大小，将测量的晶胞大小与数据库内的晶胞大小进行比对，选取最接近的晶胞大小，最接近的晶胞大小对应的碱腐蚀量以及酸腐蚀量即为当前硅片的碱液蚀量以及酸腐蚀量。

进一步优选地，所述酸液是质量百分比浓度为34±1％硝酸溶液、质量百分比浓度为22±1％醋酸溶液、质量百分比浓度为10±1％的氢氟酸溶液和纯水的混合液，混酸液温度控制在30±0.5℃。

所述碱液为氢氧化钠溶液，所述碱液的浓度为45～49％，碱液温度控制在80±0.5℃。

进一步优选地，晶胞大小为0.97-1.56μm时，碱腐蚀量为0μm，酸腐蚀量为30μm；

晶胞大小为1.68-2.74μm时，碱腐蚀量为1μm，酸腐蚀量为29μm；

晶胞大小为2.86-3.92μm时，碱腐蚀量为2μm，酸腐蚀量为28μm；