[发明专利]一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法

权利要求书

1.一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，采用显微镜测量硅片背面的晶胞大小，同一硅片选取至少五个晶胞测量点，取平均值，以平均值作为晶胞大小，

步骤二，根据平均值确定腐蚀工艺中的酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量；

晶胞大小越大，碱腐蚀量越大，酸腐蚀量越小；

步骤二中，酸腐蚀去除量以及碱腐蚀去除量的确定方法为选取实验片，对实验片采用碱液进行碱腐蚀，在采用酸液进行酸腐蚀，显微镜测量晶胞大小，晶胞大小的测量点至少选取五处，将碱腐蚀量、酸腐蚀量以及晶胞大小录入数据库；选取另一实验片，重复上述操作，变化对实验片的碱腐蚀厚度以及酸腐蚀厚度，将碱液腐蚀量、酸液腐蚀量以及晶胞大小录入数据库；

数据库内建立有关于碱腐蚀量、酸腐蚀量以及晶胞大小的模型数据，当需要对某一个硅片的碱腐蚀量以及酸腐蚀量进行确定时，测量晶胞大小，将测量的晶胞大小与数据库内的晶胞大小进行比对，选取最接近的晶胞大小，最接近的晶胞大小对应的碱腐蚀量以及酸腐蚀量即为当前硅片的碱液蚀量以及酸腐蚀量。

2.根据权利要求1所述的一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于：所述碱腐蚀量增加1微米，晶胞的大小增加1-1.3微米。

3.根据权利要求1所述的一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于：所述酸液是质量百分比浓度为34±1％硝酸溶液、质量百分比浓度为22±1％醋酸溶液、质量百分比浓度为10±1％的氢氟酸溶液和纯水的混合液，混酸液温度控制在30±0.5℃。

4.根据权利要求1所述的一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于：所述碱液为氢氧化钠溶液，所述碱液的浓度为45～49％，碱液温度控制在80±0.5℃。

5.根据权利要求1所述的一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于：晶胞大小为0.97-1.56μm时，碱腐蚀量为0μm，酸腐蚀量为30μm；

晶胞大小为1.68-2.74μm时，碱腐蚀量为1μm，酸腐蚀量为29μm；

晶胞大小为2.86-3.92μm时，碱腐蚀量为2μm，酸腐蚀量为28μm；

晶胞大小为4.04-5.1μm时，碱腐蚀量为3μm，酸腐蚀量为27μm；

晶胞大小为5.22-6.28μm时，碱腐蚀量为4μm，酸腐蚀量为26μm；

晶胞大小为6.4-7.46μm时，碱腐蚀量为5μm，酸腐蚀量为25μm；

晶胞大小为7.58-8.63μm时，碱腐蚀量为6μm，酸腐蚀量为24μm；

晶胞大小为8.75-9.81μm时，碱腐蚀量为7μm，酸腐蚀量为23μm；

晶胞大小为9.94-10.99μm时，碱腐蚀量为8μm，酸腐蚀量为22μm；

晶胞大小为11.11-12.17μm，碱腐蚀量为9μm，酸腐蚀量为21μm；

晶胞大小为12.29-13.35μm，碱腐蚀量为10μm，酸腐蚀量为20μm；

晶胞大小为13.47-14.53μm，碱腐蚀量为11μm，酸腐蚀量为19μm；

晶胞大小为14.65-15.71μm，碱腐蚀量为12μm，酸腐蚀量为18μm；

晶胞大小为15.83-16.89μm，碱腐蚀量为13μm，酸腐蚀量为17μm；

晶胞大小为17-18.06μm，碱腐蚀量为14μm，酸腐蚀量为16μm；

晶胞大小为18.19-18.66μm，碱腐蚀量为15μm，酸腐蚀量为15μm。

6.根据权利要求5所述的一种通过背面晶胞大小来确认腐蚀工艺的方法，其特征在于：晶胞大小为1.11μm时，碱腐蚀量为0μm，酸腐蚀量为30μm；

晶胞大小为4.23μm时，碱腐蚀量为3μm，酸腐蚀量为27μm；

晶胞大小为7.97μm时，碱腐蚀量为6μm，酸腐蚀量为24μm；

晶胞大小为11.92μm，碱腐蚀量为9μm，酸腐蚀量为21μm；

晶胞大小为15.17μm，碱腐蚀量为12μm，酸腐蚀量为18μm；

晶胞大小为18.48μm，碱腐蚀量为15μm，酸腐蚀量为15μm。