[发明专利]图案化多层垂直磁记录介质有效

专利信息
申请号: 200410094654.1 申请日: 2004-11-11
公开(公告)号: CN1624771A 公开(公告)日: 2005-06-08
发明(设计)人: 曼弗雷德·阿尔布雷克特;奥拉夫·赫尔威格;胡国菡;布鲁斯·D·特里斯 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/66 分类号: G11B5/66
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种图案化垂直磁记录介质,具有包含堆叠的单个磁晶胞以提供多层记录的磁岛。岛内的各个晶胞由一种或一系列材料形成,使得晶胞具有垂直磁各向异性并且为单磁畴。通过非磁性间隔层,每个晶胞与该岛内的其他晶胞是去磁耦合的。于是每个晶胞的磁化(磁矩)可以沿两个方向(进入或离开构成晶胞的层的平面)的一个,并且这个磁化与该岛内其他晶胞的磁化是彼此独立的。这使得可以在每个磁岛中记录多个磁级或状态。
搜索关键词: 图案 多层 垂直 记录 介质
【主权项】:
1.一种磁记录介质,包括:一衬底;和在所述衬底上的多个间隔开的磁岛,各个岛包括至少两个堆叠的磁晶胞,每个晶胞具有垂直磁各向异性并与该岛中其它晶胞分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立环球储存科技荷兰有限公司,未经日立环球储存科技荷兰有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200410094654.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种磁记录设备、多态磁盘及读写方法-202310400052.7
  • 游龙;侯金成;王垚元;李仕豪;周可 - 华中科技大学
  • 2023-04-14 - 2023-08-29 - G11B5/66
  • 本发明公开了一种磁记录设备、多态磁盘及读写方法,属于磁存储领域,磁记录设备包括:衬底,以及衬底之上的磁记录薄膜,磁记录薄膜为圆形,且包括由两层非磁性中间层间隔的三层铁磁层,三层铁磁层的易磁化方向分别沿x、y、z方向,z方向为垂直方向,x、y方向为面内方向且分别沿径向和切向;多态磁盘包括磁记录设备、读磁头、写磁头以及读磁头两侧的磁屏蔽层;写磁头包括垂直磁极和两个水平磁极对,以及缠绕于各磁极上的线圈;读磁头包括自旋流生成层,和膜层结构(磁隧道结、自旋阀或Hall bar)。本发明能够提高磁记录设备的存储密度,从而大幅提高基于该磁记录设备的磁盘的存储密度。
  • 具有钨预晶种层的磁记录介质-202210535901.5
  • 唐凯 - 西部数据技术公司
  • 2022-05-17 - 2023-03-31 - G11B5/667
  • 本发明公开各种设备、系统、方法和介质以提供具有钨(W)预晶种层的磁记录介质。所述W预晶种层具有比具有类似厚度的CrTi预晶种层更高的导电性。在一个实施例中,所述W预晶种层由约95原子百分比或大于95原子百分比的W制成。所述W预晶种层具有比所述CrTi预晶种层更低的电阻率。因此,如果实现类似导电性,那么与CrTi预晶种层的所述厚度相比所述W预晶种层的所述厚度可减小。沉积于具有所述减小厚度的所述W预晶种层的顶部上的磁记录材料提供与沉积于具有类似导电性的更厚CrTi预晶种层的顶部上的那些磁记录材料相当的结晶定向和记录性能。
  • 具有金属掺杂的封盖层的磁记录介质-202210587272.0
  • 池田敬弘 - 西部数据技术公司
  • 2022-05-25 - 2023-03-14 - G11B5/66
  • 本文公开了各种装置、系统、方法和介质以提供磁记录介质,封盖层掺杂有有效量的金属以控制封盖层中的晶粒间交换耦合。一种磁记录介质包括基板、位于该基板上的磁记录层(MRL)和在该MRL上的封盖层。该封盖层包括Co并掺杂有金属(例如,Ru或Ta),该金属在1原子百分比至5原子百分比的范围内,包括端值。
  • 磁记录再生装置-202210407867.3
  • 末冈义人;丝数浩司;清木规矢;高﨑通崇 - 昭和电工株式会社
  • 2022-04-19 - 2022-10-21 - G11B5/66
  • 提供能够降低污染物对于磁头的转印的磁记录再生装置。本发明涉及的磁记录再生装置具备:圆盘状的磁记录介质;将上述磁记录介质进行旋转驱动的电动机;磁头,所述磁头具有对于上述磁记录介质进行信息的读出的磁头元件以及进行上述信息的写入的磁头元件;以及偏置电路,所述偏置电路对于进行上述信息的读出的磁头元件供给规定的偏置电压,上述磁记录介质在基板上依次具有磁性层和碳保护层,上述偏置电路对于上述磁头元件供给相对于上述磁记录介质的电位为‑0.2V~‑1.0V的电压。
  • 垂直磁记录介质-201880091890.8
  • 增田爱美;清水正义 - JX金属株式会社
  • 2018-09-21 - 2022-05-10 - G11B5/66
  • 本发明的垂直磁记录介质具有颗粒层(2)和盖层(3)作为构成记录层(1)的至少一部分的层,所述颗粒层(2)包含金属氧化物作为非磁性体且磁性体分散于所述非磁性体,所述盖层(3)形成于所述颗粒层(2)上且不包含金属氧化物,所述盖层(3)的正下方的颗粒层的与盖层的边界部分的氧化物相含有选自由Zn、W、Mn、Fe以及Mo构成的组中的至少一种。
  • 磁记录介质以及磁存储装置-202011388537.1
  • 山口健洋;福岛隆之;张磊;柴田寿人;徐晨;小柳浩;梅本裕二 - 昭和电工株式会社
  • 2020-12-02 - 2022-03-04 - G11B5/667
  • 本发明提供一种磁记录介质,其在形成磁记录层时,即使将基板加热至高温,也能够提高SNR以及OW特性,磁记录介质(100)在基板(1)之上依次具有软磁性基底层(2)、非晶阻挡层(3)以及磁记录层(5),软磁性基底层包括Fe、B、Si以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素,B的含量在12mol%~16mol%的范围内,Si的含量在5mol%~15mol%的范围内,非晶阻挡层包括Si、W以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素,Si的含量在10mol%~30mol%的范围内,W的含量在20mol%~60mol%的范围内,磁记录层包括具有L10结构的合金。
  • 垂直磁记录介质-201380029987.3
  • 内田真治;片冈弘康;菊池洋人;古田旭;岛津武仁 - 富士电机株式会社
  • 2013-12-06 - 2019-11-05 - G11B5/66
  • 本发明是一种至少含有非磁性基板和磁记录层的垂直磁记录介质,所述磁记录层由含有至少第1磁记录层和第2磁记录层的多层构成,所述第1磁记录层具有粒状结构,该粒状结构含有第1磁性晶粒、以及包围所述第1磁性晶粒的第1非磁性晶界,所述第1磁性晶粒含有有序合金,所述第1非磁性晶界由碳构成,所述第2磁记录层具有粒状结构,该粒状结构含有第2磁性晶粒、以及包围所述第2磁性晶粒的第2非磁性晶界,所述第2磁性晶粒含有有序合金,所述第2非磁性晶界由含碳非磁性材料构成。
  • 垂直磁记录介质和磁记录再现装置-201610208270.0
  • 徐晨;黑川刚平 - 昭和电工株式会社
  • 2016-04-06 - 2019-06-25 - G11B5/667
  • 本发明提供垂直磁记录介质和磁记录再现装置。本发明的垂直磁记录介质是在非磁性基板上依次至少层叠背衬层、基底层、中间层、垂直磁记录层而成的,其中,所述背衬层至少具备具有非晶质结构的软磁性膜,所述基底层是从所述非磁性基板侧起层叠第1基底层和第2基底层而成的,所述第1基底层由非晶质结构的TiV合金构成,所述第2基底层包含NiW合金,所述中间层包含Ru或Ru合金,具有所述非晶质结构的软磁性膜、第1基底层、第2基底层相接地设置。
  • 磁记录介质及磁记录再生装置-201611161241.X
  • 井上健;长谷川浩太 - 昭和电工株式会社
  • 2016-12-15 - 2019-05-07 - G11B5/667
  • 一种磁记录介质,其非磁性基板上至少设置了软磁性底层、配向控制层、垂直磁性层及保护层,垂直磁性层从基板侧开始依次包括第1至第4磁性层,第1至第4磁性层为粒状结构磁性层,构成第1至第4磁性层的磁性颗粒为连续柱状晶,第1磁性层和第2磁性层之间及第2磁性层和第3磁性层之间分别具有交换结合控制层,第3磁性层与第4磁性层接触,第1至第4磁性层为强磁结合,在第1至第4磁性层的磁各向异性常数为Kui、饱和磁化强度为Msi及膜厚为ti时,满足Kui>Kui+1(i=1,2)、Msi·ti>Msi+1·ti+1(i=1,2)、Kui<Kui+1(i=3)及Msi·ti<Msi+1·ti+1(i=3)的关系。
  • 磁记录介质-201410806556.X
  • 关口昇;尾崎知恵;立花淳一 - 索尼公司
  • 2014-12-19 - 2019-03-19 - G11B5/66
  • 提供一种包括具有长度方向和宽度方向的表面的磁记录介质。该表面上的算术平均糙度Ra、PSDMD,短/PSDTD,短比以及PSDMD,长/PSDTD,长比满足Ra≤3.0nm,PSDMD,短/PSDTD,短≤0.65,以及1.3≤PSDMD,长/PSDTD,长≤2.3,其中,PSDMD,短为该表面的长度方向上0.15μm至0.4μm范围内的PSD值的平均值,PSDTD,短为表面的宽度方向上0.15μm至0.4μm范围内的PSD值的平均值,PSDMD,长为该表面的长度方向上0.4μm至5.0μm范围内的PSD值的平均值,PSDTD,长为该表面的宽度方向上0.4μm至5.0μm范围内的PSD值的平均值。
  • 磁记录介质-201410234952.X
  • 立花淳一;关口昇;尾崎知惠 - 索尼公司
  • 2014-05-29 - 2019-01-15 - G11B5/66
  • 一种磁记录介质包括基体、晶种层、底层以及具有粒状结构的垂直记录层。(Ms·α·δ1.5(1‑Rs)0.33)、Ms以及α满足(Ms·α·δ1.5(1‑Rs)0.33)≤0.1[μ·emu·(mm)‑1.5]、Ms≥450[emu/cc]以及α≥1.2。在上述公式中,Ms表示饱和磁化量,α表示抗磁力Hc周围的M‑H环的梯度,δ表示垂直记录层的厚度,并且Rs表示矩形比。
  • 磁性记录介质及其制造方法-201410196800.5
  • 立花淳一;伊藤条太;尾崎知惠;平塚亮一;关口昇;远藤哲雄 - 索尼公司
  • 2014-05-09 - 2018-11-16 - G11B5/667
  • 本发明涉及磁性记录介质及其制造方法。提供了一种磁性记录介质,该磁性记录介质包括:基体;籽晶层;基础层;以及记录层,该籽晶层被设置在基体与基础层之间,该籽晶层具有非晶态、包括包含Ti、Cr和O的合金,并且基于包含在籽晶层中Ti和Cr的总量,Ti的百分比为30原子%至100原子%,并且基于包含在籽晶层中Ti、Cr和O的总量,O的百分比为15原子%以下。此外,还提供了该磁性记录介质的制造方法。
  • 一种应力辅助磁存储器件、其制备方法以及磁场写入方法-201410653005.4
  • 谢亚丽;李润伟;詹清峰;刘宜伟;王保敏 - 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
  • 2014-11-17 - 2018-11-09 - G11B5/66
  • 本发明提供了一种应力辅助磁存储器件。该器件具有多层膜结构,依次为衬底层、变磁性材料层、磁性介质层以及保护层。通过对柔性衬底层施加形变产生应力,或者对铁电衬底层施加电压并通过压电效应产生应力,在应力作用下使变磁性材料处于铁磁或者反铁磁的状态;当磁场写入时控制应力使其处于铁磁状态,通过耦合作用降低磁性介质层的矫顽力,从而降低写入磁头的写入磁场,降低能耗;当磁场写入完毕后控制应力使变磁性材料处于反铁磁状态,磁性介质层的矫顽力恢复到原来的状态,从而增加存储密度,提高磁性存储器件的数据存储安全性。
  • 用于垂直磁性隧道结(MTJ)的混合合成反铁磁层-201480069456.1
  • C·帕克;K·李;S·H·康 - 高通股份有限公司
  • 2014-11-19 - 2018-11-09 - G11B5/66
  • 一种磁性隧道结(MTJ)器件包括自由层。该MTJ还包括耦合至自由层的阻挡层。该MTJ还具有耦合至阻挡层的固定层。固定层包括第一合成反铁磁(SAF)多层,其具有第一垂直磁各向异性(PMA)和第一阻尼常数。固定层还包括第二SAF多层,其具有第二垂直磁各向异性(PMA)以及低于第一阻尼常数的第二阻尼常数。第一SAF多层比第二SAF多层更靠近阻挡层。固定层还包括第一和第二SAF多层之间的SAF耦合层。
  • 磁记录介质-201680004848.9
  • 由泽刚;菊池洋人;岛津武仁 - 富士电机株式会社
  • 2016-06-24 - 2018-11-02 - G11B5/66
  • 本发明的目的在于提供一种能够实现记录温度降低的磁记录介质。磁记录介质的特征在于,包括基板和包含第1磁性层及第2磁性层的磁记录层,所述第2磁性层包含FePtRh有序合金,所述第1磁性层在其室温下的Ku大于第2磁性层的室温下的Ku。
  • 垂直磁记录介质及磁存储装置-201510818080.6
  • 长谷川浩太;鹈饲高广;山川荣进;圆谷志郎;境诚司 - 昭和电工株式会社;日本原子力研究开发机构
  • 2015-11-23 - 2018-10-12 - G11B5/667
  • 本发明提供一种垂直磁记录介质及磁存储装置。一种垂直磁记录介质,包括非磁性衬底;垂直磁性层,其设在所述非磁性衬底的上方;以及保护层,其设在所述垂直磁性层上。所述垂直磁性层具有六角密积结构、并包括多个堆叠的层,该多个堆叠的层具有相对于所述非磁性衬底的表面平行取向的(0002)晶面。所述垂直磁性层的多个堆叠的层中的最上层包括多晶体晶粒,所述多晶体晶粒选自CoCr基合金、CoPt基合金、CoCrPt基合金、及CoPtCr基合金构成的组。所述保护层与所述垂直磁性层的所述最上层接触,并且所述保护层包括单一石墨烯层或石墨烯层叠体、以及非晶碳层。所述单一石墨烯层或所述石墨烯层叠体与所述多晶体晶粒的(0002)晶面平行结合。
  • 磁记录介质及其制造方法-201380068621.7
  • 楢舘英知;佐藤晃央;芝本雅弘;山中和人 - 佳能安内华股份有限公司
  • 2013-12-18 - 2018-10-12 - G11B5/66
  • 本发明提供能以高吞吐量生产将磁各向异性大的L10型的有序合金用于磁记录层、具有高矫顽力的磁记录介质的、磁记录介质及其制造方法。通过在用于提高包含具有L10型结构的有序合金的磁记录层的结晶性的取向控制层的下层设置具有面心立方结构的金属基底层,从而即使在使该取向控制层薄膜化时也能够形成具有充分的矫顽力的磁记录层,能够使主要由氧化物构成的取向控制层薄膜化,因此能够提高吞吐量。
  • 磁存储器、提供该磁存储器和编程该磁存储器的方法-201410095613.8
  • A.E.昂格;A.V.克瓦尔科夫斯基;D.阿帕尔科夫 - 三星电子株式会社
  • 2014-03-14 - 2018-08-28 - G11B5/667
  • 公开了一种包括存储阵列片(MAT)、中间电路、全局位线和全局电路的磁存储器,提供该磁存储器和编程该磁存储器的方法。每个MAT包括位线、字线和具有(多个)磁性结、(多个)选择设备、以及邻近于所述(多个)磁性结的自旋与轨道相互作用(SO)活性层的至少一部分的磁存储器。由于穿过SO活性层的预处理电流导致SO活性层在(多个)磁性结上施加SO转矩。(多个)磁性结可使用驱动通过通过(多个)磁性结的(多个)写电流和预处理电流编程。所述位线和字线相应于磁存储器单元。中间电路控制MAT之内的读取和写操作。每个全局位线相应于MAT的一部分。全局电路选择并驱动部分全局位线以用于读取操作和写操作。
  • 磁记录介质和磁存储装置-201410351809.9
  • 张磊;神边哲也;村上雄二;丹羽和也 - 昭和电工株式会社
  • 2014-07-23 - 2018-05-29 - G11B5/66
  • 提供一种可降低被包含在磁性层中且具有L10结构的合金晶粒的有序度,且可提高SN比的磁记录介质。该磁记录介质,具有:基板、形成在该基板上的多个底层、及将具有L10结构的合金作为主要成份磁性层;所述多个底层中的至少1层为含有Mo的结晶质底层;该含有Mo的结晶质底层将Mo作为主要成份,且含有1mol%~20mol%范围的从Si、C选择的一种以上的元素、或者1vol%~50vol%范围的氧化物;该含有Mo的底层和该磁性层之间形成有具有NaCl型结构的障碍层。
  • 磁记录介质及磁存储装置-201410363017.3
  • 张磊;神边哲也;村上雄二;丹羽和也 - 昭和电工株式会社
  • 2014-07-28 - 2018-03-27 - G11B5/66
  • 一种磁记录介质及磁存储装置。一种磁记录介质,其特征在于,具有基板;多个衬底层,其形成在所述基板上;以及磁性层,其以具有L10结构的合金为主成分,所述多个衬底层至少包括第一衬底层,其含有选自Ta、Nb、Ti、V的两种以上的元素,并且含有选自W、Mo的一种以上的元素,以及第二衬底层,其含有MgO,所述第一衬底层和所述第二衬底层连续积层。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top