[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一面和第二面，所述第一衬底包括相互分立的若干有源区，若干所述有源区沿第一方向排列并平行于第二方向，所述第一方向和第二方向互相垂直；

位于所述第一衬底内的多个字线栅结构，多个所述字线栅结构沿第二方向排列，并且，多个所述字线栅结构沿第一方向贯穿若干所述有源区；

位于所述有源区内的多个第一掺杂区，所述第一面暴露所述第一掺杂区，所述第一掺杂区沿第二方向排列，各字线栅结构的两侧分别具有1个第一掺杂区；

位于所述有源区内的多个第二掺杂区，多个第二掺杂区之间相互分立，所述第二面暴露所述第二掺杂区，并且，所述有源区内的字线栅结构在第二面的投影，与所述第二掺杂区在所述第二面的投影至少部分重合；

位于所述第一面上的若干位线，每个位线与1个有源区上的第一掺杂区电连接；

位于所述第二面上的多个电容，每个电容与1个第二掺杂区电连接。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：多个电容导电结构，每个电容导电结构分别与1个电容、以及1个第二掺杂区连接。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，还包括：所述电容在第二面上的投影与所述第二掺杂区至少部分重合。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于每个第一掺杂区上的第一导电结构，每个位线与1个有源区上的第一导电结构连接。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：与第一衬底键合的第二衬底，所述第二衬底表面朝向第一面。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二衬底内具有逻辑电路，所述逻辑电路分别与所述字线栅结构和位线电连接。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于相邻的有源区之间的第一隔离结构，所述第一隔离结构间隔开相邻的有源区。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于有源区内的多个第二隔离结构，所述第二面暴露所述第二隔离结构表面，所述第二隔离结构沿第一方向贯穿所述有源区，并且，在所述第二方向上，相邻的字线栅结构之间具有所述第二隔离结构，在所述第二面的法线方向上，所述第二隔离结构的厚度大于第二掺杂区的深度。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述字线栅结构包括：栅极、以及位于所述栅极和第一衬底之间的栅介质层。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极为复合栅极，所述栅极包括第一栅极、以及位于第一栅极顶面的第二栅极，并且，所述第一栅极和第二栅极的材料不同。

11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极的顶面低于所述第一面，所述字线栅结构还包括：位于栅极顶面的盖层介质层，所述盖层介质层齐平于或高于所述第一面。

12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述字线栅结构还包括：位于所述栅极顶面的字线层，所述字线层表面低于所述位线底面，并且，所述字线层与所述位线绝缘。