[发明专利]半导体结构的制备方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基底，所述基底内形成有多个字线；

在所述基底上依次层叠形成位线接触层、第一掩膜层和第二掩膜层；

在所述第二掩膜层上形成间隔设置的多个掩膜结构，相邻的所述掩膜结构之间形成第一开口；其中，所述掩膜结构包括T型掩膜块和两个掩膜条，两个所述掩膜条位于所述T型掩膜块的垂直段的两侧；

去除暴露在所述第一开口内的部分所述第二掩膜层，以在所述第二掩膜层内形成第一凹槽；

在每个所述掩膜结构内形成第二开口，所述第二开口暴露出所述第二掩膜层的顶面；

去除暴露在所述第一凹槽和所述第二开口内的所述第二掩膜层和部分所述第一掩膜层，以形成第一过渡孔；

在各所述第一过渡孔形成填充层；

去除位于所述填充层之间的所述第二掩膜层和第一掩膜层，以使相邻的所述填充层之间形成第二过渡孔，所述第二过渡孔在所述基底上的投影与对应的一个所述字线重合；

去除暴露在各所述第二过渡孔内所述第一掩膜层和所述位线接触层，被保留下来的所述位线接触层形成多个间隔设置位线接触结构。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第二掩膜层的厚度占所述第一掩膜层的厚度的4/9～5/9。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一凹槽的深度与所述第二掩膜层的厚度之比位于1:3～1:2之间。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一掩膜层包括依次层叠设置的第一硬掩膜层、第一氮氧化硅层以及第二硬掩膜层，所述第一硬掩膜层设置在所述位线接触层上。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在所述第二掩膜层上形成间隔设置的多个掩膜结构的步骤中，包括：

在所述第二掩膜层上形成间隔设置的多个掩膜块；

在位于相邻的掩膜块之间的第二掩膜层上形成第三硬掩膜层，所述第三硬掩膜层覆盖在所述掩膜块上；

在所述第三硬掩膜层上形成光刻胶层，所述光刻胶层内具有间隔设置的多个第三开口，每个所述第三开口在所述第三硬掩膜层上的投影位于每个所述掩膜块上；

去除暴露在所述第三开口内的所述第三硬掩膜层和所述掩膜块，被保留下来的所述第三硬掩膜层形成间隔设置的多个T型掩膜块，每个被保留下来的掩膜块形成两个掩膜条，且该掩膜条分别位于所述T型掩膜块的垂直段的两侧，每个所述T型掩膜块和与该T型掩膜块连接的掩膜条构成一个所述掩膜结构。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述掩膜块的材质包括氧化硅。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在每个所述掩膜结构内形成第二开口的步骤中包括：

去除所述T型掩膜块，保留位于该T型掩膜块的垂直段的两侧的两个所述掩膜条，该掩膜条之间形成所述第二开口。

8.根据权利要求4-7任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除暴露在所述第一凹槽和所述第二开口内的所述第二掩膜层和部分第一掩膜层，以形成第一过渡孔的步骤中，包括：

去除暴露在所述第一凹槽内的所述第二掩膜层和部分所述第二硬掩膜层，以及去除暴露在所述第二开口内的所述第二掩膜层，以使所述第二硬掩膜层的顶面呈凹凸不平状；

沿所述第二开口和所述第一凹槽继续蚀刻所述第二硬掩膜层，以形成第一过渡孔，所述第一过渡孔暴露出第一氮氧化硅层的顶面，相邻的所述第一过渡孔之间形成掩膜凸起。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在各所述第一过渡孔形成填充层的步骤中，包括：

在各所述第一过渡孔内形成初始填充层，所述初始填充层覆盖在所述掩膜凸起上；

回刻所述初始填充层，保留位于所述第一过渡孔内的初始填充层，被保留下来的所述初始填充层构成填充层。