[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在基板上的有源图案；

在所述有源图案上的一对源极/漏极图案；

插置在所述一对源极/漏极图案之间的沟道图案，所述沟道图案包括堆叠为彼此间隔开的半导体图案；以及

栅电极，与所述沟道图案重叠并在第一方向上纵向延伸；

其中所述一对源极/漏极图案中的一个包括第一半导体层和在所述第一半导体层上的第二半导体层，

其中所述第一半导体层与堆叠的所述半导体图案中的第一半导体图案接触，

其中所述第一半导体图案、所述第一半导体层和所述第二半导体层在所述第一方向上的最大宽度分别是第一宽度、第二宽度、第三宽度，以及

其中所述第二宽度大于所述第一宽度且小于所述第三宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述一对源极/漏极图案中的所述一个包括硅锗(SiGe)，以及

其中所述第二半导体层的锗浓度高于所述第一半导体层的锗浓度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中所述第一半导体层的所述锗浓度在0at％至10at％的范围内，以及

其中所述第二半导体层的所述锗浓度在30at％至70at％的范围内。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述有源图案在与所述第一方向交叉的第二方向上纵向延伸，以及

其中所述一对源极/漏极图案在所述第二方向上彼此间隔开。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，当在所述第一半导体图案的水平处截取的平面图中观察时，还包括：

栅极间隔物，提供在所述栅电极的侧表面上以与所述第二半导体层接触；以及

剩余半导体图案，插置在所述栅极间隔物和所述第一半导体层之间。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，

其中所述栅极间隔物包括一对栅极间隔物，当在所述第一半导体图案的所述水平处截取的所述平面图中观察时，所述一对栅极间隔物分别与所述一对源极/漏极图案中的所述一个的两侧相邻，以及

其中所述第二半导体层的至少一部分插置在所述一对栅极间隔物之间。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅电极包括填充所述半导体图案中的相邻半导体图案之间的空间的部分。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中所述一对源极/漏极图案中的所述一个提供在形成于所述有源图案的上部中的凹陷中，

其中所述第一半导体层覆盖所述凹陷的内表面，

其中所述第二半导体层填充由所述第一半导体层覆盖的所述凹陷，以及

其中所述第二半导体层的体积大于所述第一半导体层的体积。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述第一半导体层具有类似于所述凹陷的轮廓的U形剖面。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

有源接触，联接到所述一对源极/漏极图案中的每个；

联接到所述栅电极的栅极接触；以及

包括互连线的第一金属层，所述互连线分别电连接到所述有源接触和所述栅极接触。