[发明专利]掩膜结构、半导体结构及制备方法

权利要求书

1.一种掩膜结构的制备方法，其特征在于，包括：

形成由下至上依次叠置的第一介质层、牺牲层及第二介质层；

图形化所述牺牲层及所述第二介质层，以形成包括由下至上依次层叠的第一图形及第二图形的图形结构，所述第一图形下部的宽度小于所述第一图形上部的宽度；

于所述图形结构的侧壁形成初始掩膜图形；

于位于不同图形结构侧壁的相邻所述初始掩膜图形之间填充第一填充层；

去除所述第二图形及位于所述第二图形侧壁的所述初始掩膜图形；

去除所述第一填充层、所述第一图形，以于所述第一介质层的上表面形成第一掩膜图形，所述第一掩膜图形沿第一方向延伸；

于所述第一掩膜图形上形成第二掩膜图形，所述第二掩膜图形沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交。

2.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述于所述图形结构的侧壁形成初始掩膜图形，包括：

于所述图形结构的侧壁、所述图形结构的上表面及所述第一介质层的上表面形成初始掩膜材料层；

去除位于所述第一介质层的上表面及所述图形结构的上表面的初始掩膜材料层，保留于所述图形结构的侧壁的所述初始掩膜材料层即为所述初始掩膜图形。

3.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述于位于不同图形结构侧壁的相邻所述初始掩膜图形之间填充第一填充层，包括：

形成第一填充材料层，所述第一填充材料层填满位于不同图形结构侧壁的相邻所述初始掩膜图形之间的间隙，并覆盖所述图形结构及所述初始掩膜图形，所述第一填充材料层的上表面高于所述图形结构的上表面；

去除位于所述图形结构的上表面及所述初始掩膜图形的上表面的所述第一填充材料层，以暴露出所述第二图形。

4.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述形成第一掩膜图形之后，且形成第二掩膜图形的步骤之前，还包括：

形成第二填充层，所述第二填充层填满相邻所述第一掩膜图形之间的间隙，并覆盖所述第一掩膜图形。

5.根据权利要求4所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述第二填充层的上表面高于所述第一掩膜图形的上表面。

6.根据权利要求4所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述形成第二填充层之后，且形成第二掩膜图形的步骤之前，还包括：

于所述第二填充层的上表面形成第三介质层。

7.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述第一填充层的上表面低于所述图形结构的上表面。

8.根据权利要求1所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，采用刻蚀工艺去除所述第二图形，刻蚀过程中，所述第二图形与所述初始掩膜图形的刻蚀选择比大于1。

9.根据权利要求8所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，刻蚀过程中，所述第一填充层与所述第二图形的刻蚀选择比大于1。

10.根据权利要求6所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述于所述第一掩膜图形上形成第二掩膜图形之后还包括：

基于所述第一掩膜图形和所述第二掩膜图形图形化所述第一介质层，以得到目标掩膜图形。

11.根据权利要求10所述的掩膜结构的制备方法，其特征在于，所述基于所述第一掩膜图形和所述第二掩膜图形图形化所述第一介质层，以得到目标掩膜图形包括：

基于所述第二掩膜图形去除暴露出的所述第三介质层；

基于所述第二掩膜图形及所述第一掩膜图形刻蚀所述第二填充层；

基于所述第二掩膜图形及所述第一掩膜图形刻蚀所述第一介质层；

去除所述第一掩膜图形、所述第二掩膜图形、保留的所述第三介质层及保留的所述第二填充层，以得到所述目标掩膜图形。