[发明专利]一种电极层的制备方法及半导体结构

说明书

本发明提供一种电极层的制备方法及半导体结构，该制备方法包括以下步骤：提供一基底，并依次形成石墨烯层、至少一电极层及支撑层；将由电极层及支撑层组成的叠层结构从石墨烯层表面机械剥离；将叠层结构转移至目标衬底，电极层与目标衬底的表面接触；去除支撑层，并使电极层留在目标衬底的表面。本发明通过在石墨烯上制作电极层，利用石墨烯与电极层间较弱的范德华接触易于剥离的特点，实现任意电极层的剥离，并转移至任意目标衬底形成范德华接触，扩展了电极层的可应用范围，减少了电极层制作过程对目标衬底材料的损伤，有助于提高器件性能，并降低电极层的制作成本。

技术领域

本发明属于半导体集成电路技术领域，涉及一种电极层的制备方法及半导体结构。

背景技术

电极制作是半导体领域中不可或缺的加工工艺。然而一般通过电子束蒸发或热蒸发在衬底上形成电极的方法会在一定程度上破坏衬底材料的结构，进而影响衬底材料的性能，尤其对于原子级厚度的二维材料影响最大。

因此，如何提供一种电极层的制备方法及半导体结构，以减少对衬底的损伤，并提升器件的电学性能，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种电极层的制备方法及半导体结构，用于解决现有技术中电极层制作过程中容易损伤衬底，导致器件的电学性能下降的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种电极层的制备方法，包括以下步骤：

提供一基底；

形成石墨烯层于所述基底的上表面；

形成至少一电极层于所述石墨烯层的上表面；

形成支撑层于所述石墨烯层的上表面，所述支撑层覆盖所述电极层；

将由所述电极层及所述支撑层组成的叠层结构从所述石墨烯层表面机械剥离；

将所述叠层结构转移至目标衬底，所述电极层与所述目标衬底的表面接触；

去除所述支撑层，并使所述电极层留在所述目标衬底的表面。

可选地，所述基底采用刚性基底。

可选地，所述基底包括锗层、碳化硅层、锗硅层、硅层、铜层、镍层、陶瓷层及玻璃层中的至少一种。

可选地，所述石墨烯层包括单层石墨烯及多层石墨烯中的一种或多种。

可选地，形成所述电极层的方法包括化学气相沉积法、物理气相沉积法、原子层沉积法中的至少一种。

可选地，所述化学气相沉积法包括等离子体增强化学气相沉积法，所述物理气相沉积法包括电子束蒸发法及热蒸发法中的至少一种，所述原子层沉积法包括等离子增强原子层沉积法。

可选地，所述电极层的材质包括金属及多晶硅中的至少一种。

可选地，形成所述支撑层包括以下步骤：

施加有机溶液于所述电极层及所述石墨烯层的上表面；

干燥所述有机溶液以得到所述支撑层。

可选地，所述有机溶液包括光刻胶溶液。

可选地，形成所述支撑层包括以下步骤：

提供一柔性膜层以覆盖所述电极层；

通过加热加压使所述柔性膜层软化并紧贴所述电极层及所述石墨烯层的上表面以构成所述支撑层。

可选地，采用胶带粘附所述支撑层背面以将所述叠层结构从所述石墨烯层表面机械剥离，或者直接掀起所述支撑层以将所述叠层结构从所述石墨烯层表面机械剥离。