[发明专利]一种电极层的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种电极层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一基底；

形成石墨烯层于所述基底的上表面；

形成至少一电极层于所述石墨烯层的上表面；

形成支撑层于所述石墨烯层的上表面，所述支撑层覆盖所述电极层；

将由所述电极层及所述支撑层组成的叠层结构从所述石墨烯层表面机械剥离；

将所述叠层结构转移至目标衬底，所述电极层与所述目标衬底的表面接触；

去除所述支撑层，并使所述电极层留在所述目标衬底的表面。

2.根据权利要求1所述的电极层的制备方法，其特征在于：所述基底采用刚性基底。

3.根据权利要求1所述的电极层的制备方法，其特征在于：所述基底包括锗层、碳化硅层、锗硅层、硅层、铜层、镍层、陶瓷层及玻璃层中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的电极层的制备方法，其特征在于：所述石墨烯层包括单层石墨烯及多层石墨烯中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的电极层的制备方法，其特征在于：形成所述电极层的方法包括化学气相沉积法、物理气相沉积法、原子层沉积法中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的电极层的制备方法，其特征在于：所述化学气相沉积法包括等离子体增强化学气相沉积法，所述物理气相沉积法包括电子束蒸发法及热蒸发法中的至少一种，所述原子层沉积法包括等离子增强原子层沉积法。

7.根据权利要求1所述的电极层的制备方法，其特征在于：所述电极层的材质包括金属及多晶硅中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的电极层的制备方法，其特征在于，形成所述支撑层包括以下步骤：

施加有机溶液于所述电极层及所述石墨烯层的上表面；

干燥所述有机溶液以得到所述支撑层。

9.根据权利要求8所述的电极层的制备方法，其特征在于：所述有机溶液包括光刻胶溶液。

10.根据权利要求1所述的电极层的制备方法，其特征在于，形成所述支撑层包括以下步骤：

提供一柔性膜层以覆盖所述电极层；

通过加热加压使所述柔性膜层软化并紧贴所述电极层及所述石墨烯层的上表面以构成所述支撑层。

11.根据权利要求1所述的电极层的制备方法，其特征在于：采用胶带粘附所述支撑层背面以将所述叠层结构从所述石墨烯层表面机械剥离，或者直接掀起所述支撑层以将所述叠层结构从所述石墨烯层表面机械剥离。

12.根据权利要求1所述的电极层的制备方法，其特征在于：通过溶解法去除所述支撑层。

13.根据权利要求1所述的电极层的制备方法，其特征在于：通过加热所述支撑层以降低所述支撑层与所述电极层之间的粘附力，并通过机械剥离法去除所述支撑层。

14.根据权利要求1所述的电极层的制备方法，其特征在于：所述电极层与所述目标衬底表面的接触包括范德华接触。

15.根据权利要求1所述的电极层的制备方法，其特征在于：所述目标衬底包括二维材料层及三维材料层中的至少一种。

16.一种半导体结构，其特征在于，包括：

目标衬底；

至少一电极层，位于所述目标衬底上，其中，所述电极层是通过如权利要求1-15任意一项所述的电极层的制备方法转移于所述目标衬底上。