[发明专利]闪存存储器及其制造方法

说明书

本发明提供的一种闪存存储器及其制造方法，其通过在浮栅层侧边的衬底中注入离子，并使离子的注入量根据字线下方的沟道开启电压进行调整，如此以能精准的提升位于浮栅层侧边的字线的开启电压，通过字线的开启电压的提升以提升字线的关断能力，进而防止字线以及其下的所述衬底发生沟道穿通效应，从而避免闪存储器编程串扰失效，进而提升闪存存储器的性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种闪存存储器及其制造方法。

背景技术

闪存储器是集成电路产品中一种重要的器件。闪存储器的主要特点是在不加电压的情况下能长期保持存储的信息。闪存储器具有集成度高、较快的存取速度和易于擦除等优点，因而得到广泛的应用。

目前的闪存储器分为两种类型：叠栅(stack gate)闪存存储器和分栅(splitgate)闪存存储器。叠栅闪存存储器具有浮栅和位于浮栅的上方的控制栅，同一列的控制栅相连以作为字线，而目前的叠栅闪存存储器存在过擦除的问题。与叠栅闪存存储器不同的是，分栅闪存存储器在浮栅的一侧形成作为擦除栅极的字线，分栅闪存存储器能有效的避免过擦除效应，且分栅闪存存储器利用源端的热电子注入进行编程，具有更高的编程效率。

然而，现有的分栅闪存存储器中的闪存单元存在编程串扰失效的问题，严重影响了闪存存储器的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存存储器及其制造方法，以解决现有的分栅闪存存储器中的闪存单元编程串扰失效，而导致的闪存存储器性能较低的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种闪存存储器的制造方法，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成浮栅层，其中，所述浮栅层中形成有开槽，所述开槽中形成有源线；

至少执行一次离子注入工艺，以至少在所述浮栅层侧边的所述衬底中注入离子，并在所述浮栅层侧边形成字线，其中，所述离子注入工艺的离子注入量根据字线下方的沟道开启电压调整，所述字线下方的沟道开启电压与离子注入量呈线性关系。

可选的，根据如下公式计算以获得所述离子的离子注入量：y＝ax+b，其中，y表示：字线的开启电压；

X表示：离子的注入量；

a表示：字线的开启电压与离子的注入量的线性关系系数；

b表示：字线的开启电压与离子的注入量的线性关系常数。

可选的，所述字线的开启电压与离子的注入量的线性关系系数为0.005～0.0065。

可选的，所述字线的开启电压与离子的注入量的线性关系常数为-0.06～-0.05。

可选的，所述离子的注入浓度为：1E11～5E11原子/平分厘米。

可选的，所述离子的类型与所述衬底的类型相同。

可选的，所述离子选自硼离子和砷离子中至少一种。

可选的，执行至少两次离子注入工艺，且执行每次离子注入工艺时注入的离子种类不同。

可选的，在所述衬底上形成浮栅层之前，所述方法还包括在所述衬底上形成第一介质层，以及，

在执行离子注入工艺之前，所述方法还包括：刻蚀所述第一介质层，以去除位于所述浮栅层侧边的所述第一介质层。

可选的，在执行所述离子注入工艺之前，所述方法还包括：在所述源线上形成第二介质层，所述第二介质层用于阻挡所述离子注入所述源线。

为解决上述问题，本发明还提供一种闪存存储器，根据如上述任意一项所述的闪存存储器的制造方法制备而成。