[发明专利]闪存存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202110313010.0 | 申请日： | 2021-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN113192837A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 汤志林;王卉;曹子贵;付永琴 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L27/11521;H01L29/788 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 存储器 及其 制造 方法 | ||
1.一种闪存存储器的制造方法，其特征在于，
提供衬底；
在所述衬底上形成浮栅层，其中，所述浮栅层中形成有开槽，所述开槽中形成有源线；
至少执行一次离子注入工艺，以至少在所述浮栅层侧边的所述衬底中注入离子，并在所述浮栅层侧边形成字线，其中，所述离子注入工艺的离子注入量根据所述字线下方的沟道开启电压调整，所述字线下方的沟道开启电压与离子注入量呈线性关系。
2.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，根据如下公式计算以获得所述离子的离子注入量：y＝ax+b，
其中，y表示：字线的开启电压；
X表示：离子的注入量；
a表示：字线的开启电压与离子的注入量的线性关系系数；
b表示：字线的开启电压与离子的注入量的线性关系常数。
3.如权利要求4所述的闪存存储器的制造方法，其特在于，所述字线的开启电压与离子的注入量的线性关系系数为0.005～0.0065。
4.如权利要求4所述的闪存存储器的制造方法，其特在于，所述字线的开启电压与离子的注入量的线性关系常数为-0.06～-0.05。
5.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特在于，所述离子的注入浓度为：1E11～5E11原子/平分厘米。
6.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述离子的类型与所述衬底的类型相同。
7.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述离子选自硼离子和砷离子中至少一种。
8.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，执行至少两次离子注入工艺，且执行每次离子注入工艺时注入的离子种类不同。
9.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特在于，在所述衬底上形成浮栅层之前，所述方法还包括在所述衬底上形成第一介质层，以及，
在执行离子注入工艺之前，所述方法还包括：刻蚀所述第一介质层，以去除位于所述浮栅层侧边的所述第一介质层。
10.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，在执行所述离子注入工艺之前，所述方法还包括：在所述源线上形成第二介质层，所述第二介质层用于阻挡所述离子注入所述源线。
11.一种闪存存储器，其特征在于，根据如权利要求1～9任意一项所述的闪存存储器的制造方法制备而成。
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