[发明专利]垂直存储器件

权利要求书

1.一种垂直存储器件，包括：

在基板上的外围电路的电路图案，所述电路图案包括下导电图案；

单元堆叠结构，在所述电路图案之上并在第一水平方向上间隔开，其中每个所述单元堆叠结构包括在垂直方向上间隔开的栅电极；

第一绝缘夹层，覆盖所述单元堆叠结构以及在所述单元堆叠结构之间的部分；

贯穿通路接触，穿过在所述单元堆叠结构之间的所述第一绝缘夹层以接触所述下导电图案的上表面；

至少一个虚设贯穿通路接触，穿过在所述单元堆叠结构之间的所述第一绝缘夹层并与所述贯穿通路接触相邻地设置；以及

在所述贯穿通路接触上的上布线。

2.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中下布线连接到与所述贯穿通路接触的底部接触的所述下导电图案，并且所述下布线不连接到与所述至少一个虚设贯穿通路接触的底部接触的所述下导电图案。

3.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述至少一个虚设贯穿通路接触包括分别与所述贯穿通路接触相邻地设置的多个虚设贯穿通路接触。

4.根据权利要求3所述的垂直存储器件，其中所述多个虚设贯穿通路接触当中的虚设贯穿通路接触分别以点对称图案设置在所述贯穿通路接触周围。

5.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述贯穿通路接触的上部直径与所述贯穿通路接触和所述至少一个虚设贯穿通路接触之间的距离的比率落在1:0.5至1:10的范围内。

6.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中基于所述贯穿通路接触的下部直径，所述贯穿通路接触具有在30:1至200:1之间的高宽比，以及

基于所述至少一个虚设贯穿通路接触的下部直径，所述至少一个虚设贯穿通路接触具有在30:1至200:1之间的高宽比。

7.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述贯穿通路接触的上部直径与所述至少一个虚设贯穿通路接触的上部直径基本上相同。

8.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述至少一个虚设贯穿通路接触的底部与所述下导电图案的上表面接触。

9.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述至少一个虚设贯穿通路接触的底部设置为高于所述下导电图案的上表面。

10.根据权利要求1所述的垂直存储器件，还包括：

在所述单元堆叠结构的相应底部上的基底半导体图案，

其中所述贯穿通路接触和所述至少一个虚设贯穿通路接触设置在所述基底半导体图案之间。

11.根据权利要求1所述的垂直存储器件，还包括：

在所述单元堆叠结构的相应底部上的基底半导体图案，

其中所述贯穿通路接触设置在所述基底半导体图案之间，并且所述至少一个虚设贯穿通路接触与所述基底半导体图案中的一个的上表面接触。

12.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述贯穿通路接触的高度落在3μm至20μm的范围内。

13.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述上布线包括：多个上接触，与所述贯穿通路接触的上表面接触；和上导电图案，与所述上接触中的最上面的一个的上表面接触。

14.根据权利要求13所述的垂直存储器件，其中所述至少一个虚设贯穿通路接触的上表面与所述上接触中的最下面的一个接触，并且所述上接触中的所述最下面的一个与所述上导电图案电绝缘。

15.根据权利要求1所述的垂直存储器件，其中所述至少一个虚设贯穿通路接触的上表面接触绝缘材料，并且所述上布线不形成在所述至少一个虚设贯穿通路接触上。