[发明专利]布线结构和其制造方法在审
申请号: | 202110281898.4 | 申请日: | 2021-03-16 |
公开(公告)号: | CN113410207A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 黄文宏 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 布线 结构 制造 方法 | ||
1.一种布线结构,其包括:
上部导电结构,其包括至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层;
下部导电结构,其包括至少一个介电层和与所述介电层接触的至少一个电路层;以及
重布结构,其设置在所述上部导电结构与所述下部导电结构之间,以电连接所述上部导电结构与所述下部导电结构,其中所述重布结构包括介电结构和嵌入于所述介电结构中的重布层,所述重布层包括至少一个电路层,并且所述重布层的所述电路层的线宽小于所述上部导电结构的所述电路层的线宽和所述下部导电结构的所述电路层的线宽。
2.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述重布层的所述电路层的线距小于所述上部导电结构的所述电路层的线距和所述下部导电结构的所述电路层的线距。
3.根据权利要求2所述的布线结构,其中所述重布层的所述电路层的所述线宽/线距小于约10μm/10μm,并且所述上部导电结构的所述电路层的所述线宽/线距和所述下部导电结构的所述电路层的所述线宽/线距大于或等于约10μm/10μm。
4.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述重布结构与所述上部导电结构之间的边界的表面粗糙度大于所述介电结构的两个相邻介电层之间的边界的表面粗糙度,并且所述重布结构与所述下部导电结构之间的边界的表面粗糙度大于所述介电结构的两个相邻介电层之间的边界的表面粗糙度。
5.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述上部导电结构的所述介电层的材料与所述重布结构的所述介电结构的材料不同。
6.根据权利要求1所述的布线结构,其进一步包括至少一个上部导电通孔,所述至少一个上部导电通孔贯穿所述上部导电结构的所述介电层和所述重布结构的所述介电结构的一部分,并且电连接到所述重布结构的所述重布层和所述上部导电结构的所述电路层。
7.根据权利要求6所述的布线结构,其中所述重布层包括多个电路层,并且所述上部导电通孔电连接到所述重布层的最顶部电路层。
8.根据权利要求6所述的布线结构,其中所述重布层包括多个电路层,所述重布层的最顶部电路层具有顶面且包括从所述顶面凹入的至少一个上部陷窝,并且所述上部导电通孔延伸到所述上部陷窝中。
9.根据权利要求6所述的布线结构,其中所述至少一个上部导电通孔包括多个上部导电通孔,并且所述重布层的所述电路层的至少三条迹线设置在两个相邻上部导电通孔之间。
10.根据权利要求6所述的布线结构,其中所述上部导电通孔向下逐渐变窄。
11.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述上部导电结构进一步包括电连接到所述上部导电结构的所述电路层的至少一个内部导通孔,所述下部导电结构进一步包括电连接到所述下部导电结构的所述电路层的至少一个内部导通孔,并且所述上部导电结构的所述内部导通孔和所述下部导电结构的所述内部导通孔是对称结构。
12.根据权利要求1所述的布线结构,其中所述上部导电结构进一步包括电连接到所述上部导电结构的所述电路层的至少一个内部导通孔,所述下部导电结构进一步包括电连接到所述下部导电结构的所述电路层的至少一个内部导通孔,并且所述上部导电结构的所述内部导通孔的逐渐变窄方向与所述下部导电结构的所述内部导通孔的逐渐变窄方向相反。
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