[发明专利]芯片封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片封装结构，所述芯片包括基底，其具有第一面、与第一面相对的第二面以及连接第一面和第二面的多个侧面，于所述基底第一面上依次设有绝缘层、金属布线层和阻焊层，所述阻焊层上设有电连接于所述金属布线层的焊接凸起，其特征在于，

所述绝缘层边缘和所述阻焊层边缘分别沿所述基底侧面向内缩进第一距离a和第二距离b，其中，0nm≤b＜a；

所述绝缘层位于所述阻焊层内部，所述阻焊层位于所述绝缘层外侧的部分覆盖所述基底，且包覆所述绝缘层侧边。

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基底侧面设有沿所述基底第一面向内凹陷的沟槽，所述沟槽沿所述基底侧面长度方向分布。

3.根据权利要求2所述的芯片封装结构，其特征在于，所述沟槽于所述基底侧面形成台阶结构，具有沟槽侧壁面与沟槽底面，所述沟槽侧壁面顶端和与其同侧的所述基底侧面之间间隔第三距离c，其中，c≤b。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述绝缘层和所述金属布线层之间设有缓冲层。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述基底第二面设有焊垫，所述基底第一面设有向其第二面延伸的通孔，所述通孔底部暴露所述焊垫，所述金属布线层沿所述通孔侧壁延伸至所述焊垫，与其电性连接。

6.一种芯片封装结构制造方法，其特征在于，包括步骤：

提供晶圆，所述晶圆具有相对的第一面及第二面，所述晶圆上阵列排布多颗芯片基底，相邻所述基底之间分布有切割道；

于所述基底第一面形成绝缘层，于每个所述基底上形成间隔独立分布的所述绝缘层，每个所述基底上的所述绝缘层边缘沿所述切割道向内缩进第一距离a；

于所述绝缘层上依次形成金属布线层和阻焊层，于每个所述基底上形成间隔独立分布的所述阻焊层，每个所述基底上的所述阻焊层边缘沿所述切割道向内缩进第二距离b，其中，0nm≤b＜a，所述阻焊层位于所述绝缘层外侧的部分覆盖所述基底，且包覆所述绝缘层侧边；

于所述阻焊层上开设暴露所述金属布线层的通孔，在所述通孔内形成电性连接于所述金属布线层的焊接凸起；

沿切割道切割晶圆，获得多个独立的芯片封装结构。

7.根据权利要求6所述的芯片封装结构制造方法，其特征在于，在“于所述基底第一面形成绝缘层”之前还包括步骤：

于所述晶圆第一面形成位于所述切割道上方的全沟槽，所述全沟槽宽度大于所述切割道宽度。

8.根据权利要求7所述的芯片封装结构制造方法，其特征在于，

所述全沟槽具有沟槽侧壁面与沟槽底面，所述沟槽侧壁面顶端和与其同侧的所述切割道边缘之间间隔第三距离c，其中，c≤b，所述沟槽底面至少完全暴露所述切割道。

9.根据权利要求6所述的芯片封装结构制造方法，其特征在于，“于所述绝缘层上依次形成金属布线层和阻焊层”之前还包括步骤：

于所述绝缘层上形成缓冲层。

10.根据权利要求6所述的芯片封装结构制造方法，其特征在于，“于所述基底第一面形成绝缘层”之前还包括步骤：

在所述晶圆第一面形成朝向其第二面延伸的通孔，所述通孔底部暴露出所述晶圆第二面设置的焊垫。