[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法在审

申请号：	202110270261.5	申请日：	2021-03-12
公开（公告）号：	CN113497118A	公开（公告）日：	2021-10-12
发明（设计）人：	野口智明	申请（专利权）人：	三菱电机株式会社
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78;H01L21/336
代理公司：	北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112	代理人：	何立波;张天舒
地址：	日本***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	碳化硅半导体装置及其制造方法
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【说明书】：

得到能够提高成品率的碳化硅半导体装置及其制造方法。第1导电型的碳化硅层(2)具有存在晶体缺陷的缺陷区域。第2导电型的多个阱区域(4)形成于碳化硅层(2)。第1导电型的源极区域(6)形成于阱区域(4)。栅极氧化膜(7)形成于碳化硅层(2)、阱区域(4)以及源极区域(6)之上。栅极电极(8)形成于栅极氧化膜(7)之上。源极电极(10)与阱区域(4)以及源极区域(6)连接。在缺陷区域(3)未形成源极区域(6)。

技术领域

本发明涉及碳化硅半导体装置及其制造方法。

背景技术

碳化硅晶体有望作为能够实现高耐压、低损耗以及高温工作的下一代的开关元件的材料(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2012-244083号公报

但是，碳化硅晶体包含大量堆垛层错等晶体缺陷。在当前的碳化硅半导体装置中存在以下问题，即，由于晶片中的晶体缺陷或者在外延生长时产生的晶体缺陷，产生泄漏电流，成品率下降。

发明内容

本发明就是为了解决上述这样的课题而提出的，其目的在于得到能够提高成品率的碳化硅半导体装置及其制造方法。

本发明涉及的碳化硅半导体装置的特征在于，具有：第1导电型的碳化硅层，其具有存在晶体缺陷的缺陷区域；第2导电型的多个阱区域，它们形成于所述碳化硅层；第1导电型的源极区域，其形成于所述阱区域；栅极氧化膜，其形成于所述碳化硅层、所述阱区域以及所述源极区域之上；栅极电极，其形成于所述栅极氧化膜之上；以及源极电极，其与所述阱区域以及所述源极区域连接，在所述缺陷区域未形成所述源极区域。

发明的效果

在本发明中，在缺陷区域未形成源极区域。如果没有源极区域，则即使向栅极电极施加电压，晶体管也不会接通，因此，不产生泄漏电流。其结果，能够提高成品率。

附图说明

图1是表示实施方式1涉及的碳化硅半导体装置的剖视图。

图2是实施方式1涉及的碳化硅半导体装置的制造方法的流程图。

图3是表示外延生长后的碳化硅晶片的俯视图。

图4是表示在碳化硅晶片处确定了形成有源区域的区域的状态的俯视图。

图5是表示各芯片所包含的晶体缺陷的放大俯视图。

图6是表示各芯片所包含的晶体缺陷的放大俯视图。

图7是表示实施方式1涉及的碳化硅半导体装置的制造方法的剖视图。

图8是表示实施方式1涉及的碳化硅半导体装置的制造方法的剖视图。

图9是表示实施方式1涉及的碳化硅半导体装置的制造方法的剖视图。