[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110255812.0 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113539980A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 陈宪伟;陈明发 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L25/16;H01L21/56;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括：
金属化层，连接半导体衬底上的有源器件；
第一半导体器件，连接至所述金属化层；
第二半导体器件，连接至所述金属化层；以及
密封剂，密封所述第一半导体器件和所述第二半导体器件，所述密封剂与所述金属化层和所述半导体衬底物理接触。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述密封剂包括模塑料。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述密封剂包括氧化硅。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，支撑结构附接至所述氧化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述密封剂的宽度随着所述密封剂延伸至所述半导体衬底中而减小。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：
衬底通孔，延伸穿过所述半导体衬底；
再分布层，连接至所述衬底通孔；以及
钝化层，与所述再分布层相邻。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述钝化层具有弯曲的侧壁。
8.一种半导体器件，包括：
第一半导体管芯，接合至半导体衬底上方的金属化层；
第二半导体管芯，接合至所述金属化层；
密封剂，在所述第一半导体管芯和所述第二半导体管芯之间延伸，所述密封剂也延伸穿过所述金属化层以与所述半导体衬底物理接触。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述密封剂具有与所述金属化层相邻的第一宽度和小于与所述半导体衬底相邻的所述第一宽度的第二宽度。
10.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：
将第一半导体管芯接合至器件，所述器件包括半导体衬底；
将第二半导体管芯接合至所述器件；
在所述半导体衬底中形成开口；
用填充材料填充所述开口；以及
通过所述开口内的所述填充材料分割所述半导体衬底。
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