[发明专利]半导体装置和其制造方法

说明书

一种半导体装置和其制造方法，半导体装置包括具有第一浓度的掺杂剂的磊晶特征、接触磊晶特征的源极/漏极特征、接触磊晶特征和源极/漏极特征的半导体通道、接触磊晶特征和源极/漏极特征的内部间隔物，以及接触内部间隔物和部分磊晶特征的栅极结构。源极/漏极特征包括第二浓度的掺杂剂，且第二浓度高于第一浓度。

技术领域

本公开是关于半导体装置和其制造方法。

背景技术

由于各种电子装置的集成密度不断提高，半导体工业经历了连续的快速增长。在很大程度上，集成密度的提高来自最小特征尺寸的不断减小，从而允许更多元件并入给定晶片区中。随着最小特征尺寸减小，磊晶源极/漏极特征可能在置换栅极制程期间遭受损坏。因此，需要解决上述问题。

发明内容

根据本公开的实施例，提供一种半导体装置，包括具有第一浓度的掺杂剂的第一磊晶特征、与第一磊晶特征接触且包括第二浓度的掺杂剂的第一源极/漏极特征、接触第一源极/漏极特征及第一磊晶特征的半导体通道、接触第一源极/漏极特征及第一磊晶特征的内部间隔物，及栅极结构，其中第二浓度高于第一浓度，其中栅极结构接触内部间隔物及第一磊晶特征的一部分。

根据本公开的实施例，提供一种半导体装置，包括从基板延伸的半导体鳍片、设置于半导体鳍片上方的一或多个半导体通道、形成于半导体鳍片上方并围绕一或多个半导体通道中每一者的栅极介电层、第一源极/漏极特征、第二源极/漏极特征、形成于栅极介电层与第一源极/漏极特征之间的第一内部间隔物、形成于栅极介电层与第二源极/漏极特征之间的第二内部间隔物、第一磊晶特征以及第二磊晶特征，其中第一源极/漏极特征及第二源极/漏极特征连接至一或多个半导体通道的每一者的相对端上，其中第一内部间隔物及第二内部间隔物倚靠栅极介电层形成，其中第一磊晶特征及第二磊晶特征接触半导体鳍片的相对端上，第一磊晶特征接触第一源极/漏极特征及第一内部间隔物，以及第二磊晶特征接触第二源极/漏极特征及第二内部间隔物。

根据本公开的实施例，提供一种制造半导体装置的方法，包括形成半导体鳍片、在半导体鳍片的侧面上形成包覆层、在半导体鳍片上方形成牺牲栅极结构、蚀刻半导体鳍片以在牺牲栅极结构的相对侧上形成两个源极/漏极凹槽、在牺牲栅极结构下方的半导体鳍片的暴露表面上方形成内部间隔物、在源极/漏极凹槽中的每一者中形成磊晶特征，以及在对应源极/漏极凹槽中的磊晶特征上形成源极/漏极特征，其中磊晶特征的上表面接触源极/漏极凹槽中对应的内部间隔物。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述中可以最好地理解本公开的各方面。应注意，根据工业中的标准方法，各种特征未按比例绘制。实际上，为了清楚地讨论，可任意增加或减少各种特征的尺寸。

图1为根据本公开的实施例的制造半导体装置的方法的流程图；

图2至图11、图12A至图12F并至图13A至图13F、图14A至图14E并至图24A至图24E、图25A至图25F，以及图26A至图26E并至图28A至图28E示意性地绘示根据本公开的实施例的制造半导体装置的不同阶段。

【符号说明】

10:基板

11:P型阱

11u,12u:上表面

12:N型阱

13:第一半导体层

14:第三半导体层

15:第二半导体层

16:第四半导体层

19,20:半导体鳍片

19a,20a:主动部分

19w,20w:阱部分

22:衬垫层