[发明专利]半导体装置和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一第一磊晶特征，其中该第一磊晶特征包括一第一浓度的一掺杂剂；

一第一源极/漏极特征，接触该第一磊晶特征，其中该第一源极/漏极特征包括一第二浓度的该掺杂剂，以及该第二浓度高于该第一浓度；

一半导体通道，接触该第一源极/漏极特征及该第一磊晶特征；

一内部间隔物，接触该第一源极/漏极特征及该第一磊晶特征；以及

一栅极结构，其中该栅极结构接触该内部间隔物及该第一磊晶特征的一部分。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括：

一第二磊晶特征，其中该第一磊晶特征及该第二磊晶特征位于该半导体通道的相对端上；以及

一第二源极/漏极特征，接触该第二磊晶特征，其中该第二源极/漏极特征包括该第二浓度的该掺杂剂。

3.一种半导体装置，其特征在于，包括：

一半导体鳍片，从一基板延伸；

一或多个半导体通道，设置在该半导体鳍片上方；

一栅极介电层，形成在该半导体鳍片上方并围绕该一或多个半导体通道中的每一者；

一第一源极/漏极特征；

一第二源极/漏极特征，其中该第一源极/漏极特征及第二源极/漏极特征连接至该一或多个半导体通道中每一者的相对端上；

一第一内部间隔物，形成在该栅极介电层与该第一源极/漏极特征之间；

一第二内部间隔物，形成在该栅极介电层与该第二源极/漏极特征之间，其中该第一内部间隔物及该第二内部间隔物倚靠该栅极介电层形成；

一第一磊晶特征；以及

一第二磊晶特征，其中该第一磊晶特征及该第二磊晶特征接触半导体鳍片的相对端上，该第一磊晶特征接触该第一源极/漏极特征及该第一内部间隔物，及该第二磊晶特征接触该第二源极/漏极特征及该第二内部间隔物。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一磊晶特征包括一磊晶形成的硅层。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该磊晶形成的硅层包括一第一浓度的一第一掺杂剂。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第一源极/漏极特征包括一第二浓度的一第二掺杂剂，该第一掺杂剂及该第二掺杂剂是相同类型，及该第二浓度高于该第一浓度。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该第一磊晶特征与该第一源极/漏极特征之间的一界面延伸横跨该源极/漏极特征并与该第一内部间隔物相交。

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，该一或多个半导体通道延伸超出该第一内部间隔物以接触该第一源极/漏极特征。

9.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，包括：

形成一半导体鳍片；

在该半导体鳍片的侧面上形成一包覆层；

在该半导体鳍片上方形成一牺牲栅极结构；

蚀刻该半导体鳍片以在该牺牲栅极结构的相对侧上形成多个源极/漏极凹槽；

在该牺牲栅极结构下方的该半导体鳍片的暴露表面上方形成一内部间隔物；

在所述多个源极/漏极凹槽的每一者中形成一磊晶特征，其中该磊晶特征的一上表面接触所述多个源极/漏极凹槽中对应一者的该内部间隔物；以及

在所述多个源极/漏极凹槽中对应一者的该磊晶特征上形成一源极/漏极特征。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，进一步包括蚀刻该包覆层的在该牺牲栅极结构下方的一部分，以形成该内部间隔物的一间隔物空腔，以及形成该内部间隔物于该间隔物空腔中。