[发明专利]半导体器件和方法

说明书

本申请涉及半导体器件和方法。一种器件，包括：鳍，该鳍从半导体衬底突出；栅极堆叠，该栅极堆叠在鳍的侧壁之上并且沿着鳍的侧壁；栅极间隔件，该栅极间隔件沿着栅极堆叠的侧壁和鳍的侧壁；外延源极/漏极区域，该外延源极/漏极区域在鳍中并且与栅极间隔件相邻；以及角间隔件，该角间隔件在栅极堆叠和栅极间隔件之间，其中，该角间隔件沿着鳍的侧壁延伸，其中，栅极堆叠和鳍的侧壁之间的第一区域中没有该角间隔件，其中，栅极堆叠和栅极间隔件之间的第二区域中没有该角间隔件。

技术领域

本申请涉及半导体器件和方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，例如，个人计算机、蜂窝电话、数码相机和其他电子设备。半导体器件通常通过以下方式来制造：在半导体衬底之上顺序地沉积材料的绝缘层或电介质层、导电层和半导体层，并使用光刻来图案化各种材料层以在其上形成电路组件和元件。

半导体工业通过不断减小最小特征尺寸来继续提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多组件集成到给定区域中。

发明内容

根据本公开的第一方面，提供了一种半导体器件，包括：鳍，所述鳍从半导体衬底突出；栅极堆叠，所述栅极堆叠在所述鳍的侧壁之上并且沿着所述鳍的所述侧壁；栅极间隔件，所述栅极间隔件沿着所述栅极堆叠的侧壁和所述鳍的所述侧壁；外延源极/漏极区域，所述外延源极/漏极区域在所述鳍中并且与所述栅极间隔件相邻；以及角间隔件，所述角间隔件在所述栅极堆叠和所述栅极间隔件之间，其中，所述角间隔件沿着所述鳍的所述侧壁延伸，其中，所述栅极堆叠和所述鳍的所述侧壁之间的第一区域中没有所述角间隔件，其中，所述栅极堆叠和所述栅极间隔件之间的第二区域中没有所述角间隔件。

根据本公开的第二方面，提供了一种半导体器件，包括：鳍，所述鳍在衬底之上；栅极结构，所述栅极结构在所述鳍的上表面和相对的侧壁上；栅极间隔件，所述栅极间隔件沿着所述栅极结构的所述相对的侧壁，其中，所述栅极间隔件的第一部分具有第一宽度，其中，所述栅极间隔件的第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述鳍，其中，所述第一宽度和所述第二宽度是在平行于所述鳍的侧壁的第一方向上测量到的；虚设电介质材料，所述虚设电介质材料在所述鳍上，其中，所述虚设电介质材料在所述鳍和所述栅极间隔件之间延伸；以及角间隔件，其中，所述角间隔件中的每个角间隔件内插在所述栅极结构和所述栅极间隔件的所述第一部分中的相应的一个第一部分之间。

根据本公开的第三方面，提供了一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成鳍，所述鳍从衬底突出；形成虚设栅极结构，所述虚设栅极结构在所述鳍的沟道区域之上延伸；在所述虚设栅极结构的侧壁上形成第一间隔件层；在所述鳍上的与所述沟道区域相邻的位置处外延生长源极/漏极区域；去除所述虚设栅极结构，以形成凹槽；在所述凹槽内沉积第二间隔件层；在所述第二间隔件层上执行刻蚀工艺，其中，在执行所述刻蚀工艺后，所述第二间隔件层的剩余部分保留在所述凹槽内以形成角间隔件，其中，所述角间隔件彼此分隔开，其中，所述角间隔件位于所述凹槽的与所述鳍相邻的角区域处；以及在所述凹槽内并且在所述角间隔件上形成替换栅极结构。

附图说明

在结合附图阅读下面的具体实施方式时，可以根据下面的具体实施方式最佳地理解本公开的各方面。值得注意的是，根据行业的标准实践，各种特征没有按比例绘制。事实上，为了讨论的清楚，各种特征的尺寸可能被任意地增大或缩小了。

图1示出了根据一些实施例的三维视图中的FinFET的示例。

图2、图3、图4、图5、图6和图7是根据一些实施例的FinFET的制造中的中间阶段的截面视图。