[发明专利]半导体器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

鳍，所述鳍从半导体衬底突出；

栅极堆叠，所述栅极堆叠在所述鳍的侧壁之上并且沿着所述鳍的所述侧壁；

栅极间隔件，所述栅极间隔件沿着所述栅极堆叠的侧壁和所述鳍的所述侧壁；

外延源极/漏极区域，所述外延源极/漏极区域在所述鳍中并且与所述栅极间隔件相邻；以及

角间隔件，所述角间隔件在所述栅极堆叠和所述栅极间隔件之间，其中，所述角间隔件沿着所述鳍的所述侧壁延伸，其中，所述栅极堆叠和所述鳍的所述侧壁之间的第一区域中没有所述角间隔件，其中，所述栅极堆叠和所述栅极间隔件之间的第二区域中没有所述角间隔件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括虚设栅极电介质层，所述虚设栅极电介质层沿着所述鳍的所述侧壁延伸，其中，所述虚设栅极电介质层在所述角间隔件和所述鳍之间。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极堆叠包括物理接触所述角间隔件的栅极电介质层。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述角间隔件包括氧化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、碳氮化硅或碳氮氧化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述角间隔件沿着所述鳍的所述侧壁延伸至的范围内的距离。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述角间隔件在平面视图中具有三角形截面。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述角间隔件的沿着所述栅极堆叠的所述侧壁延伸的表面具有凹入轮廓。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅极堆叠包括栅极电介质和栅极电极，其中，所述栅极电介质与所述鳍物理接触。

9.一种半导体器件，包括：

鳍，所述鳍在衬底之上；

栅极结构，所述栅极结构在所述鳍的上表面和相对的侧壁上；

栅极间隔件，所述栅极间隔件沿着所述栅极结构的所述相对的侧壁，其中，所述栅极间隔件的第一部分具有第一宽度，其中，所述栅极间隔件的第二部分具有大于所述第一宽度的第二宽度，其中，所述第一部分比所述第二部分更靠近所述鳍，其中，所述第一宽度和所述第二宽度是在平行于所述鳍的侧壁的第一方向上测量到的；

虚设电介质材料，所述虚设电介质材料在所述鳍上，其中，所述虚设电介质材料在所述鳍和所述栅极间隔件之间延伸；以及

角间隔件，其中，所述角间隔件中的每个角间隔件内插在所述栅极结构和所述栅极间隔件的所述第一部分中的相应的一个第一部分之间。

10.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

形成鳍，所述鳍从衬底突出；

形成虚设栅极结构，所述虚设栅极结构在所述鳍的沟道区域之上延伸；

在所述虚设栅极结构的侧壁上形成第一间隔件层；

在所述鳍上的与所述沟道区域相邻的位置处外延生长源极/漏极区域；

去除所述虚设栅极结构，以形成凹槽；

在所述凹槽内沉积第二间隔件层；

在所述第二间隔件层上执行刻蚀工艺，其中，在执行所述刻蚀工艺后，所述第二间隔件层的剩余部分保留在所述凹槽内以形成角间隔件，其中，所述角间隔件彼此分隔开，其中，所述角间隔件位于所述凹槽的与所述鳍相邻的角区域处；以及

在所述凹槽内并且在所述角间隔件上形成替换栅极结构。