[发明专利]半导体单元块和计算机实现方法

说明书

本公开提供了半导体单元块和计算机实现方法。该半导体单元块包括布置成堆叠的一系列层。所述层包括每个具有第一高度的一个或更多个第一层以及每个具有第二高度的一个或更多个第二层。第二高度大于第一高度，并且第二高度是第一高度的非整数倍。半导体单元块还包括在该系列层之一中的具有第一单元高度的第一半导体逻辑单元以及在该系列层之一中的具有第二单元高度的第二半导体逻辑单元。第二单元高度大于第一单元高度，并且第二单元高度是第一单元高度的非整数倍。

技术领域

本公开的方面总地涉及半导体单元块以及形成用于半导体单元块的布局的方法。

背景技术

现有技术的半导体单元块典型地包括每个具有相同高度或相同高度的整数倍(例如两倍高度或三倍高度)的半导体逻辑单元。例如，芯片的一个半导体单元块可以包括具有第一高度的半导体逻辑单元和具有是第一高度的整数倍的第二高度的半导体逻辑单元。该芯片的另一半导体单元块可以包括具有第三高度和其整数倍的半导体逻辑单元。

发明内容

本公开的方面涉及半导体单元块的各种实施方式。在一个实施方式中，半导体单元块包括：布置成堆叠的一系列层，所述一系列层包括每个具有第一高度的一个或更多个第一层以及每个具有第二高度的一个或更多个第二层。第二高度大于第一高度，并且第二高度是第一高度的非整数倍。半导体单元块还包括在该系列层之一中的具有第一单元高度的第一半导体逻辑单元以及在该系列层之一中的具有第二单元高度的第二半导体逻辑单元。第二单元高度大于第一单元高度，并且第二单元高度是第一单元高度的非整数倍。

第二单元高度可以是第一单元高度的大致1.1到大致1.9倍。

第一半导体逻辑单元可以在所述一个或更多个第一层之一中，第二半导体逻辑单元在所述一个或更多个第二层之一中。

所述一个或更多个第一层可以包括直接堆叠在彼此上的第一层的一系列对。

所述一个或更多个第一层可以包括一系列第一层，所述一个或更多个第二层可以包括一系列第二层，该一系列第一层中的第一层的数量可以大于该一系列第二层中的第二层的数量。

该一系列第二层可以在该堆叠中规则地排列，该一系列第二层中的每对相邻的第二层可以通过该一系列第一层中的相同数量的第一层彼此间隔开。

所述相同数量可以是偶数。

半导体单元块还可以包括具有第三单元高度的第三半导体逻辑单元，第三单元高度可以是第一单元高度的整数倍。

所述一个或更多个第一层可以包括一系列第一层，第三半导体逻辑单元可以在该一系列第一层中的一对相邻的第一层中。

半导体单元块还可以包括联接到第一半导体逻辑单元和第二半导体逻辑单元的至少一个电源轨。

所述至少一个电源轨可以是埋入式电源轨。

第一半导体逻辑单元和第二半导体逻辑单元可以是不同类型的逻辑单元。

第一半导体逻辑单元的第一单元宽度和第二半导体逻辑单元的第二单元宽度可以是彼此的整数倍。

本公开的方面还涉及产生用于半导体单元块的布局的计算机实现方法的各种实施方式。在一个实施方式中，计算机实现方法包括：利用布局布线工具，在层堆叠中的第一层中布局第一半导体逻辑单元以及在所述层堆叠中的第二层中布局第二半导体逻辑单元。第一半导体逻辑单元具有第一单元高度并且第二半导体逻辑单元具有大于第一单元高度的第二单元高度，第二单元高度是第一单元高度的非整数倍。该方法还包括：利用布局布线工具，在第一半导体逻辑单元和第二半导体逻辑单元中的每个上布局引脚；利用布局布线工具，布局连接到引脚的通路；以及利用布局布线工具，布局连接到通路的金属布线层。

非整数倍可以在从大致1.1到大致1.9的范围内。