[发明专利]半导体单元块和计算机实现方法在审
申请号: | 202110191330.3 | 申请日: | 2021-02-19 |
公开(公告)号: | CN113284888A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | V.格鲁西斯;R.森古普塔;D.帕莱;洪俊顾;K.特雷诺;M.S.罗德;T.阿巴雅 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 单元 计算机 实现 方法 | ||
1.一种半导体单元块,包括:
布置成堆叠的多个层,所述多个层包括每个具有第一高度的一个或更多个第一层以及每个具有第二高度的一个或更多个第二层,其中所述第二高度大于所述第一高度,其中所述第二高度是所述第一高度的非整数倍;
在所述多个层之一中的具有第一单元高度的第一半导体逻辑单元;以及
在所述多个层之一中的具有第二单元高度的第二半导体逻辑单元,其中所述第二单元高度大于所述第一单元高度,其中所述第二单元高度是所述第一单元高度的非整数倍。
2.根据权利要求1所述的半导体单元块,其中所述第二单元高度是所述第一单元高度的1.1到1.9倍。
3.根据权利要求1所述的半导体单元块,其中所述第一半导体逻辑单元在所述一个或更多个第一层之一中,其中所述第二半导体逻辑单元在所述一个或更多个第二层之一中。
4.根据权利要求1所述的半导体单元块,其中所述一个或更多个第一层包括直接堆叠在彼此上的多对第一层。
5.根据权利要求1所述的半导体单元块,其中:
所述一个或更多个第一层包括多个第一层,
所述一个或更多个第二层包括多个第二层,以及
所述多个第一层中的第一层的数量大于所述多个第二层中的第二层的数量。
6.根据权利要求5所述的半导体单元块,其中所述多个第二层在所述堆叠中规则地排列,其中所述多个第二层中的每对相邻的第二层通过所述多个第一层中的相同数量的第一层彼此间隔开。
7.根据权利要求6所述的半导体单元块,其中所述相同数量是偶数。
8.根据权利要求1所述的半导体单元块,还包括具有第三单元高度的第三半导体逻辑单元,其中所述第三单元高度是所述第一单元高度的整数倍。
9.根据权利要求8所述的半导体单元块,其中所述一个或更多个第一层包括多个第一层,其中所述第三半导体逻辑单元在所述多个第一层中的一对相邻的第一层中。
10.根据权利要求1所述的半导体单元块,还包括联接到所述第一半导体逻辑单元和所述第二半导体逻辑单元的至少一个电源轨。
11.根据权利要求10所述的半导体单元块,其中所述至少一个电源轨是埋入式电源轨。
12.根据权利要求1所述的半导体单元块,其中所述第一半导体逻辑单元和所述第二半导体逻辑单元包含不同类型的逻辑单元。
13.根据权利要求1所述的半导体单元块,其中所述第一半导体逻辑单元的第一单元宽度和所述第二半导体逻辑单元的第二单元宽度是彼此的整数倍。
14.一种产生用于半导体单元块的布局的计算机实现方法,所述计算机实现方法包括:
利用布局布线工具,在层堆叠中的第一层中布局第一半导体逻辑单元以及在所述层堆叠中的第二层中布局第二半导体逻辑单元,所述第一半导体逻辑单元具有第一单元高度并且所述第二半导体逻辑单元具有大于所述第一单元高度的第二单元高度,所述第二单元高度是所述第一单元高度的非整数倍;
利用所述布局布线工具,在所述第一半导体逻辑单元和所述第二半导体逻辑单元中的每个上布局引脚;
利用所述布局布线工具,布局连接到所述引脚的通路;以及
利用所述布局布线工具,布局连接到所述通路的金属布线层。
15.根据权利要求14所述的计算机实现方法,其中所述非整数倍在从1.1到1.9的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的