[发明专利]半导体晶圆清洗后烘干方法

说明书

本发明公开了半导体晶圆清洗后烘干方法，风机的启动产生气流，气流经过加热丝的加热成为热气流，热气流经过中心管、连通管以及出风管吹向晶圆上方中央和下方中央；电机启动带动驱动轴转动，驱动轴带动主动齿轮转动，主动齿轮带动传动齿轮转动，传动齿轮带动从动齿轮转动，进而带动所有的转动杆转动，转动杆带动放料架转动，进而使得放料架上的晶圆交替的对准热气流。实现了晶圆的烘干，并且能够对多个晶圆进行烘干，提高烘干效率。

技术领域

本发明涉及晶圆烘干技术领域，特别是涉及半导体晶圆清洗后烘干方法。

背景技术

在半导体的制造过程中，需要图形转移工艺，其中包括光刻工艺。光刻工艺是一种图形复印技术，是半导体制造工艺中一项关键的技术。简单来说，光刻受到照相技术的启发，利用光刻胶感光特性，将光刻掩膜板的图形精确地复印到涂在晶圆上的光刻胶上。在将光刻胶旋涂到晶圆之前，因为晶圆表面进行清洗，所以需要对晶圆表面进行烘干。

公开号为CN109663723A的中国专利公开了体公开了一种晶圆用烘干装置，包括烘干箱，烘干箱内设有湿度传感器、驱动机构和放置机构，放置机构包括多个放置单元，驱动机构的下方设有可间歇拨动放置单元移动的拨动组件，拨动组件由湿度传感器控制。但是该装置存在以下缺点：1、利用晶圆转动不断的搅动烘干箱内的热气，使得气流紊乱，但是晶圆还需要平稳运动，因此气流的流动速度受到限制，影响烘干效率；2、晶圆需要放置在支撑板上，因此晶圆下表面与支撑板接触，无法对晶圆下表面进行烘干处理，需要对晶圆进行翻面才能对晶圆彻底烘干。

发明内容

本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供半导体晶圆清洗后烘干方法。

本发明通过以下技术方案来实现上述目的：

半导体晶圆清洗后烘干方法，

使用的烘干装置包括：

烘干箱，所述烘干箱由支撑腿、底板、外壳、顶板、防尘罩、密封门组成，所述支撑腿顶部通过螺栓连接有所述底板，所述底板顶部外侧通过螺栓连接有所述外壳，所述外壳顶部通过螺栓连接有所述顶板，所述顶板顶部开设有排气孔，且排气孔内侧螺接有所述防尘罩，所述外壳前端通过合页连接有所述密封门，还包括烘干机构、放料机构，所述外壳内部中央设置有烘干机构，所述烘干机构外侧设置有所述放料机构，所述放料机构包括上行星架、放料架组、下行星架，所述上行星架底部外侧通过轴承连接有若干个所述放料架组，所述放料架组下端穿过所述下行星架，并与所述下行星架通过轴承连接，且连接有驱动其转动的联动机构，所述放料架组包括转动杆、放料架，所述转动杆周侧通过螺钉连接有若干个等距离设置的所述放料架，所述烘干机构包括风机、中心管、连通管、出风管、加热丝、支撑网孔管、滤清器，所述风机的进气端通过喉箍连接有所述滤清器，所述风机通过螺栓连接在所述顶板顶部中央，所述风机下方通过螺钉连接有所述中心管，所述中心管穿过所述顶板和所述上行星架，并与所述上行星架通过轴承连接，且位于所述上行星架下方部分的周侧焊接有若干组所述连通管，每组设置有若干个所述连通管，所述连通管远离所述中心管的一端焊接有竖直设置的所述出风管，且所述出风管通过所述连通管与所述中心管连通，所述中心管内部通过螺钉连接有所述加热丝，所述加热丝内侧设置有用于支撑所述加热丝的所述支撑网孔管；

所述烘干方法包括以下步骤：

S1：打开密封门；

S2：把清洗后的晶圆放在放料环内侧，在此过程中通过转动下行星架以及转动转动杆，使得放料环靠近密封门处，以将晶圆放满放料环；

S3：关闭密封门并开启电机、风机以及使得加热丝通电，加热丝通电发热，风机的启动产生气流，气流经过加热丝的加热成为热气流，热气流经过中心管、连通管以及出风管吹向晶圆上方中央和下方中央；

S4：由电机带动驱动轴转动，驱动轴带动主动齿轮转动，主动齿轮带动传动齿轮转动，传动齿轮带动从动齿轮转动，进而带动所有的转动杆转动，转动杆带动放料架转动，进而使得放料架上的晶圆交替的对准热气流；