[发明专利]半导体晶圆清洗后烘干方法

权利要求书

1.半导体晶圆清洗后烘干方法，

使用的烘干装置包括：

烘干箱(1)，所述烘干箱(1)由支撑腿(101)、底板(102)、外壳(103)、顶板(104)、防尘罩(105)、密封门(106)组成，所述支撑腿(101)顶部通过螺栓连接有所述底板(102)，所述底板(102)顶部外侧通过螺栓连接有所述外壳(103)，所述外壳(103)顶部通过螺栓连接有所述顶板(104)，所述顶板(104)顶部开设有排气孔，且排气孔内侧螺接有所述防尘罩(105)，所述外壳(103)前端通过合页连接有所述密封门(106)，还包括烘干机构(2)、放料机构(4)，所述外壳(103)内部中央设置有烘干机构(2)，所述烘干机构(2)外侧设置有所述放料机构(4)，所述放料机构(4)包括上行星架(401)、放料架组(402)、下行星架(403)，所述上行星架(401)底部外侧通过轴承连接有若干个所述放料架组(402)，所述放料架组(402)下端穿过所述下行星架(403)，并与所述下行星架(403)通过轴承连接，且连接有驱动其转动的联动机构(3)，所述放料架组(402)包括转动杆(4021)、放料架(4022)，所述转动杆(4021)周侧通过螺钉连接有若干个等距离设置的所述放料架(4022)，所述烘干机构(2)包括风机(201)、中心管(202)、连通管(203)、出风管(204)、加热丝(205)、支撑网孔管(206)、滤清器(207)，所述风机(201)的进气端通过喉箍连接有所述滤清器(207)，所述风机(201)通过螺栓连接在所述顶板(104)顶部中央，所述风机(201)下方通过螺钉连接有所述中心管(202)，所述中心管(202)穿过所述顶板(104)和所述上行星架(401)，并与所述上行星架(401)通过轴承连接，且位于所述上行星架(401)下方部分的周侧焊接有若干组所述连通管(203)，每组设置有若干个所述连通管(203)，所述连通管(203)远离所述中心管(202)的一端焊接有竖直设置的所述出风管(204)，且所述出风管(204)通过所述连通管(203)与所述中心管(202)连通，所述中心管(202)内部通过螺钉连接有所述加热丝(205)，所述加热丝(205)内侧设置有用于支撑所述加热丝(205)的所述支撑网孔管(206)；

其特征在于，所述烘干方法包括以下步骤：

S1：打开密封门(106)；

S2：把清洗后的晶圆放在放料环(40223)内侧，在此过程中通过转动下行星架(403)以及转动转动杆(4021)，使得放料环(40223)靠近密封门(106)处，以将晶圆放满放料环(40223)；

S3：关闭密封门(106)并开启电机(301)、风机(201)以及使得加热丝(205)通电，加热丝(205)通电发热，风机(201)的启动产生气流，气流经过加热丝(205)的加热成为热气流，热气流经过中心管(202)、连通管(203)以及出风管(204)吹向晶圆上方中央和下方中央；

S4：由电机(301)带动驱动轴(302)转动，驱动轴(302)带动主动齿轮(3031)转动，主动齿轮(3031)带动传动齿轮(3032)转动，传动齿轮(3032)带动从动齿轮(3033)转动，进而带动所有的转动杆(4021)转动，转动杆(4021)带动放料架(4022)转动，进而使得放料架(4022)上的晶圆交替的对准热气流；

S5：晶圆干燥后停止电机(301)，打开密封门(106)取出晶圆。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗后烘干方法，其特征在于：风机(201)的喷吹的气流为氮气或者空气。

3.根据权利要求2所述的半导体晶圆清洗后烘干方法，其特征在于：热气流的温度为50-80℃。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗后烘干方法，其特征在于：

所述放料架(4022)包括安装环(40221)、连接杆(40222)、放料环(40223)、支撑架(40224)，所述安装环(40221)通过螺钉连接在所述转动杆(4021)外侧，所述安装环(40221)外侧焊接有若干个所述连接杆(40222)，所述连接杆(40222)远离所述转动杆(4021)的一端焊接有所述放料环(40223)，所述放料环(40223)内侧底部焊接有所述支撑架(40224)。